不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

想請問各位大大
3 S( S$ P6 _- g7 I4 ?7 x
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)

還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。
6 ]: Y2 B  Z3 v" S( N: J7 |
小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近

但是有約有50mV的偏移。

  A: E: ^( P% e. ^- L
4 R* _7 O# p9 a) H1 P+ o6 f這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
" K$ R3 E+ y; P: p, \: ]想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
; h5 }) ?) h# N  p' B$ G實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

& e( p0 f# ~3 J2 ~
+ x$ ^7 S/ [6 q8 J7 P恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
7 v0 E! v8 h& B# c: Y你可以去google找curvature compensation bandgape
可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣