不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

+ N; i$ ?) w8 ?1 A% Y2 t% H
想請問各位大大
+ D- y0 c: k5 i5 O
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
- `3 O( F# Z3 \: e+ m5 o
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。

小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近
. k1 Q* \1 t# A' O" K) \% d
但是有約有50mV的偏移。

$ s/ s  X0 p+ ~. o  E  ?
這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
' g: \! J6 h! g$ D9 @- d6 c4 l) @- ^想問這樣是正確的嗎

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
$ v  }3 [7 i) B9 S1 ~5 Z# t# a+ WVref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)

a5317

8 _( y1 m; z. w8 S0 l0 {: O( N
( k7 J6 d/ T3 e$ j" s恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
頂點設計在25度C.

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
  u. h& j+ |! H% b" [" C# Y$ v. {你可以去google找curvature compensation bandgape
可以找到很多2接補償的資料

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣