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[問題求助] OP的MOS問題

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1#
發表於 2010-12-4 23:28:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
; C# V0 a  y9 V3 u0 S4 C$ K
各位前輩好2 R" q/ ~3 j! r9 E8 C
       我是剛接觸IC的新手,我現在要做一個簡單的的OP,電路圖如圖3,圖3是電路圖M5的部份,那是之前畢業的學姐做的,我想請問一下,為何他的Layout是像圖2,
$ I8 ?$ ~) K4 K. {4 e1 n他不是就是個PMOS嗎?為什麼它的Layout會變成這樣?是有什麼考量嗎?麻煩各位大大幫我解惑...感恩萬分!!!

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2#
發表於 2010-12-6 13:32:18 | 只看該作者
那個layout 看起來像是 M1 和 M2
2 c8 [* q2 Q$ ^+ Q! M; k是電流鏡, 要做  對稱ㄉ ( match )* K( y/ G: J( }9 @9 v' S
加上 body 接在 M5 的 D
% b9 X' R9 Q/ M' O所以才單獨做吧
3#
發表於 2011-1-11 22:29:55 | 只看該作者
把他圍起來這叫做guard ring 用來避免雜訊干擾
8 q! V6 [1 U) U) j6 |/ Z( ?9 a$ s7 C4 H: V0 J
類比電路的部分要特別小心雜訊問題
4#
發表於 2011-1-22 01:10:59 | 只看該作者
感謝大大的分享
7 {3 v' }- Q' o知識因分享而壯大~~~嘻~~~
5#
發表於 2011-1-25 01:36:58 | 只看該作者
m5是那顆op的tail current, mos的畫法應該只是一般的multi-finger,
$ @/ n! ~. P; b2 M外面包guard ring應該是不希望電流源受到干擾
6#
發表於 2011-7-13 12:30:03 | 只看該作者
說真的,這並是電流鏡的一部份吧,但跟差動沒有關係,"感覺是把電晶體當一個等效電阻",看了許多電子學課本及電路來的經驗<PS高職課本也有寫,林均電子學也有寫、史密司電子學也有寫>。至於圍RING是看當時的LAYOUT的考量。都說是電路圖的M5了,怎麼會跟差動對有關係咧。要有關係的話,應該是電流平均分散給差動對的關係吧。
7#
發表於 2011-9-15 14:28:38 | 只看該作者
就一般圍了RING的MOS 防止雜訊干擾囉
8#
發表於 2011-11-2 10:38:17 | 只看該作者
一般類比電路較注意雜訊問題,
7 f0 [6 L* g. \0 ?+ e2 S5 u因此加guard ring是常見的做法~
9#
發表於 2011-11-17 02:25:53 | 只看該作者
M5 M6 M10 M11 如果源端电位相同的话  他们是电流镜 因为他们的Vgs 是一样的
10#
發表於 2012-5-12 21:48:44 | 只看該作者
好複雜!!可以教我嗎?好複雜阿!!!
11#
發表於 2012-5-17 10:50:27 | 只看該作者
M5和M8畫在一起,
/ j1 |: M! ]( }2 a共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,共用省面積,8 g" }% J# \0 v
就是這麼簡單
12#
發表於 2012-6-13 11:29:11 | 只看該作者
沒有什麼特殊之處,就單純用Ring圍起來而已" ]( u4 L% |/ S" B% W8 Z1 N' z
通常擺法會是" @2 \- z. k% F
M5、M8(PMOS)
9 Y/ U* x4 k. e4 x- H. X  n' KM3、M4、M7(NMOS)
$ C! D% t: T7 z6 `; ?- v/ mM1、M2(PMOS)7 g: ~5 y; E& V. Y
/ U7 ]. k! J9 U
因為M1、M2的Well電位跟M5、M8不同,擺在附近的話會因為DRC的關係浪費不少空間
0 F0 Z; i7 k3 m  }1 b, z7 ?不過實際情況都要看所有電路而定
13#
發表於 2013-1-28 16:55:31 | 只看該作者
回復 10# 930709
8 w+ E* @: v* Z/ H2 F$ R4 g" I, `1 x5 [9 D, o3 v

( X6 |- [% Q9 B3 h$ }5 j6 l    / h% v6 l' z2 E0 q6 h
* T5 ]. W2 z- g5 ~# l2 i' C
M1 M2 像這樣畫嗎?

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