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[問題求助] 請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?

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1#
發表於 2011-12-12 11:12:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
求助各位先進
3 ?. S7 e0 ]+ o6 Y9 [$ p, ?
& I$ ?5 d7 z: w; \0 l5 ?本人在 TSMC 90nm 製程中
8 J1 r/ b, r7 U/ R* C: c, j2 l/ K使用 HSPICE 模擬 TSMC 提供的 32768Hz Xtal Oscillator circuit% c" s' T+ z3 o! r. ~: b
遇到在高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振
* T2 A" N& t2 M( R6 Q$ |
" c: n: g8 v9 N本人參考  "CMOS晶體震盪器模擬"1 _8 }3 B5 a# P
http://bbs.innoing.com/viewthrea ... mp;from=recommend_f0 T) ~7 e4 F2 @9 f: k# |# N
其中幾種方法但扔無法起振
% d8 k, f# ?  h9 Z8 x3 b2 V2 Q6 S$ o. Q) }; N5 m
請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?
/ `* k% X' t# P. Y& S5 }需在  .option 設定什麼參數?8 n6 `- _$ ^! q- [
HSPICE 版本是否有差異?
& }- N: _# A: A& w
  C1 ?" C  }& I0 Y
8 Y) Q4 B2 r+ A. J' _謝謝
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2#
 樓主| 發表於 2011-12-13 16:36:54 | 只看該作者
這幾天我試了( j/ o6 q- {% F+ `2 W: ~1 u
, e) j" v/ ^' X/ r+ Y+ c
HSPICE 版本
7 P( e; s, y% \2002
  t8 C8 v) e: h: I6 E! E. l2007
3 M; R  {4 R$ d0 e  K2008
! S2 q! a8 S/ `2 N2011
( Q8 G. c) v" ~9 h# [2 T$ k  ^! N9 x
adit 2006
+ U/ k! \# Q6 L& a  t
: I( ^; G- m8 P1 `: V; L.options delmax=3e-76 f$ C; {8 g0 C! \' m: C% x
(delmax < T/100)
7 ?+ Q( r$ P) Q7 B5 c! ]$ j  j6 C* I# l5 V# K9 `2 s
結果還是 高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振
3#
 樓主| 發表於 2011-12-13 16:41:05 | 只看該作者
真是令人訥悶) C1 C( f6 S; ?; R% N! C; q
愈高電壓 inverter  gm 愈大, u1 t7 D2 d8 Q0 d7 I
應該愈容易起振........: O7 O# P3 ?2 X' C
再繼續努力吧
4#
 樓主| 發表於 2011-12-15 09:59:34 | 只看該作者
降低 crystal Q 值5 [" U! W4 `; p9 E
雖在較高電壓會起振
* Q1 H* i6 n9 _" o+ l0 R+ r$ {但振盪頻率不對
5#
 樓主| 發表於 2011-12-28 18:10:45 | 只看該作者
利用負電阻方法模擬
- z7 k/ C4 [- v' V5 O可找出與 .tran 方法 起振的相對應關係
6#
發表於 2012-1-18 17:25:16 | 只看該作者
有下過.option accurate 了嗎?
; S' X2 L! ^! d$ A另外一個...-gm要大於xtal的阻值2~3倍...
9 z8 m1 }( s5 R" V時間拉長到10ms以上
7#
發表於 2012-2-2 12:00:50 | 只看該作者
這是我在option下的參數你參考一下吧. [% h1 b  M; y' M
' R9 A9 P$ S, W
.option post probe nomod accurate acct=2 method=trap puretp4 A/ r2 w2 I+ r8 U+ k4 z. \
.tran 100n 1000m
) \: Q4 `0 L' @+ d+ @; G1 f% g0 @.op 1m' ~$ n  e+ w# a

0 D/ _0 S( o  \/ g8 y8 u+ U6 M對於外掛crystal所找到相關的振盪設定的方法8 F/ b% p( X5 [6 E% M; E
**************method1********************/ s4 K+ m* R5 R; v
.SUBCKT cry_32k XIN XOUT* _. x  @) S9 x0 Y5 Y8 V* i5 C8 x
Cof XIN XOUT 1.5e-126 L# ], I) V& r: q! d
Ro XIN N1 20272.5' I3 _- s4 {6 [/ n, B" H$ _
Co N1 N2 0.003146e-12! O/ L9 y: [, B9 i( R
Lo N2 XOUT 7500.284 ic=0.1ua, b% k9 g' \) {6 C7 }2 v. t0 ?
.ENDS2 H6 I9 V$ W7 ]  }* j
**************method2********************; A7 y) j: h6 y2 {$ R0 p& B8 q
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT8 D* u3 \3 c3 u2 F( {' E: h
*Cof XIN XOUT 1.5e-12! v* J0 C( d- L7 b* T, |' i
*Ro XIN N1 20272.5
; L) ]6 q  U$ n* r" X9 H*VSIN N1 NN1 sin(0 0.7k 32.768k 0.1n 8E4 0)
- S2 Z! P. L+ o4 t( u- N# z*Co NN1 N2 0.003146e-12
! Q9 l! {4 J! Q*Lo N2 XOUT 7500.284
/ L$ B2 |# N7 y5 e*.ENDS
% i3 J+ ?( q/ h+ f! h**************method3********************
+ {3 E7 ]1 v9 d) Z*VPWRP PWRP gnd pwl(0 0 5m vdd33)) }" f* {1 l; R; J4 v% _; ]
*.ic v(xin=vdd33) v(xout=vdd33)
1 D- _# ~2 {: Z1 E) a  J1 `+ m
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT6 Z  E/ x! F& G3 r
*Cof XIN XOUT 1.5e-12. r+ J9 Z* }8 ]: g1 f
*Ro XIN N1 20272.5( Y% e2 y4 |/ @  j# n5 ^8 k. a' _
*Co N1 N2 0.003146e-12
1 E: B$ O* l8 A/ J  N4 @# D*Lo N2 XOUT 7500.284
& }' U, G; [$ s*.ENDS$ u+ h2 m4 o) n* N" R* r
*****************************************
7 K  z& b8 i/ ?/ U% x& l還有一個負電阻的模擬
) A# k# L6 c' A* \. Y0 h/ q. T, k當負電阻滿足時才會起振
8#
發表於 2012-2-6 10:01:40 | 只看該作者
是不是你的gm过大,过大也将无法起振。
9#
發表於 2012-2-16 15:29:07 | 只看該作者
蠻奇怪的,建議你去參考另ㄧ篇"CMOS晶體震盪器模擬"(http://bbs.innoing.com/thread-8412-1-1.html)1 d+ x) P+ t' M2 ]5 a: P& n
看看吧,裡面會有你意想不到的收穫喔~
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