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請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout4 ?/ ^; i. ^( P* o; O* S! m3 a
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...
5 n' T4 j. }" N3 p4 [b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM 0 J9 ^, I" [3 ~$ U0 R1 N% R
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個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
5 H; F/ o5 d- H6 K$ Q, a1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分- e' L4 W+ o6 m8 Y
不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。
6 w9 {2 m$ V. b4 l8 ]2 ^ 依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分 b0 u# s& R% ?
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* @3 r: p$ W4 K8 m5 c2 | VbrDS<5V7 z R, o9 h6 c6 A* ^0 @
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8 y, ?) r0 z( y( _7 _ 15V<VbrDS<25V
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500V<VbrDS0 m; U) X$ n, x
800V<VbrDS7 T3 z- Z, o: U% a* u; u+ e
目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。# P7 `3 @1 \0 I+ [. C, a
5 S* q1 k3 J8 v' T- U2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃
* {+ d% B% M5 O0 t- {! M' L 並理解器件的物理和電學特性
0 X% W6 d" K8 D/ r% ?# q( u 這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。! [, X+ w9 S# v- T
一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
, L+ ?. u$ c. A. V, i) p 如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。0 n7 r! r1 {, X. S0 W/ L# }
500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,
1 p5 d+ K$ e# u& q6 B IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。7 Z! ~2 T% V1 I% c# P
理論的學習,4 r1 _7 ~- A$ e/ c
推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。- y% G" t" ?& y. i' q2 T
原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。
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3:實踐! u. s( W6 ?/ ^0 I+ N5 S8 H1 L
檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
" A% U( m( y& Q V. X UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有
0 P& o( t6 V3 a 參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。
/ U) h: \! w# u0 u/ Q5 \3 n8 ` 特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。% j0 ], _: _, }' n0 v6 U# _" \
( [4 c" L* ]7 W! T7 h3 }4:Reverse engineering
$ H' Q& I8 G& G* s 對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。( u) N) i q [* q" L- D
3 r% ~& G K Q% g! i. q淺見,歡迎拍塼! |
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