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[問題求助] 高壓製程

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1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout, Q! ]0 D2 b* F+ M+ W9 j
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
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2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊4 U+ l- C1 h- t7 B
/ E6 f: w; l! c+ V) ~; K6 t
感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題
* v9 B, n/ i% v8 B% Y4 S$ b有分享任何資訊嗎?!
- m! Z. d' E4 @/ N5 }$ u小女無材
) y" B5 k1 l" c看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧4 Q  t% X, ^! n) Z$ p* k; Z
% B# m, ?4 E" O5 S  y2 A" Z9 Q" b
這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout4 ?/ ^; i. ^( P* o; O* S! m3 a
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...
5 n' T4 j. }" N3 p4 [b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM
0 J9 ^, I" [3 ~$ U0 R1 N% R
  w4 n2 A6 l  h( ~$ `: u7 j
個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗
5 H; F/ o5 d- H6 K$ Q, a1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分- e' L4 W+ o6 m8 Y
   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。
6 w9 {2 m$ V. b4 l8 ]2 ^   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分  b0 u# s& R% ?
    LV
* @3 r: p$ W4 K8 m5 c2 |    VbrDS<5V7 z  R, o9 h6 c6 A* ^0 @
      MV
8 y, ?) r0 z( y( _7 _     15V<VbrDS<25V
/ v: E1 ~' y: w! A$ {      HV
/ Q- v. B7 r+ H- C     30 <VbrDS<45V
" d- [$ |% y1 e5 t     45<VbrDS<80V
  a' R) {' [& W4 G8 I! Y- t     UHV
, k. e; k! b. n" E4 C4 N     80<VbrDS<120V8 c. v" g+ r0 E8 x: [
     500V<VbrDS0 m; U) X$ n, x
     800V<VbrDS7 T3 z- Z, o: U% a* u; u+ e
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。# P7 `3 @1 \0 I+ [. C, a

5 S* q1 k3 J8 v' T- U2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃
* {+ d% B% M5 O0 t- {! M' L   並理解器件的物理和電學特性
0 X% W6 d" K8 D/ r% ?# q( u   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。! [, X+ w9 S# v- T
   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
, L+ ?. u$ c. A. V, i) p   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。0 n7 r! r1 {, X. S0 W/ L# }
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,
1 p5 d+ K$ e# u& q6 B   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。7 Z! ~2 T% V1 I% c# P
   理論的學習,4 r1 _7 ~- A$ e/ c
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。- y% G" t" ?& y. i' q2 T
   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。
; Y$ x# k# y* f) y8 g6 w: y5 L0 A6 i1 x! Y6 [$ c& ]5 F
3:實踐! u. s( W6 ?/ ^0 I+ N5 S8 H1 L
   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
" A% U( m( y& Q  V. X   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有
0 P& o( t6 V3 a   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。
/ U) h: \! w# u0 u/ Q5 \3 n8 `   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。% j0 ], _: _, }' n0 v6 U# _" \

( [4 c" L* ]7 W! T7 h3 }4:Reverse engineering
$ H' Q& I8 G& G* s    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。( u) N) i  q  [* q" L- D

3 r% ~& G  K  Q% g! i. q淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
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