bjt 的 layout

ben13949

請問 PDK 中的 BJT 射極的部份
' y$ N4 W+ N) C9 q* A5 i7 w' I
* X, r- f# @0 k' E. M+ K  D/ sCT 和 OD有一段距離
, D" p' f8 W( K% h, K5 l& P
留那段距離目的是為甚麼?

ben13949

我再補充一下問題
* u$ S* ~" x# O/ Q
我的意思是射極上的CT 沒有打到最滿
' h" m5 `) i; x% h, L
5 \0 R; W$ @" V1 F+ `9 `2 s離邊緣還可以打上3個左右

m851055

CT是哪一層layer?
& A2 I. O, L) k; @# r- ]NPN or PNP?

CHIP321

Cont 在CMOS兼容工艺中可能考量的不是太多，因为会在整个区域做saliside等硅化措施。但是如果要严格的说的话，cont的位置，cont的深度及结构本身是会对射级注入效率产生影响的。所以Desgin 需要遵循 DRC Rule，不能随意更改，另外你这里提到的估计应当是纵向管，接触位于射极中心，会减少射极的横向（侧边）注入，在不变更三层结结构，尺寸下，能额外提升发射极效率。很多BiCmos中会使用一个Contact来做射极连接。其他寄生还会有些利弊影响，可能不是主要考量因素。这是我暂时能想到的，供LZ参考，不当处请批判指正。