關於amp的match問題

minzyyl

如圖所示之amp,M2,M3的M=4, gate輸入分別為IN,IP; 現在主要討論M2,M3的place match, 和同僚討論哪種place可能較好,最後得出的結論不一緻,誰能給點意見?

參數: M2,M3一样: W/L=6/2, M=4,以下3种方案佈局時周邊都加dummy.
/ ^5 k& g% }* B! {0 k7 u7 Q$ J我們的place方案是：
0 I: d2 O" B3 w1: A B A B
# u, x- j) M2 H* e   B A B A
這種佈局可以保持電流方向一致,對稱性也較好, 但不能共用S/D
* e- @$ O& i, d4 b2: A B B A
   B A A B
對稱性不錯,而且能全部共用S/D,但current方向不一緻
3: A A B B
   B B A A
對稱性應該沒上面兩种好,不過也能全部共用S/D, current方向不一緻

大家一般採用哪种? 能說說理由嗎?
) }1 C8 j) E. E4 k  ~# {3 I
[ 本帖最後由 minzyyl 於 2009-7-11 04:00 PM 編輯 ]

minzyyl

沒人知道嗎?
8 }% y; W1 y5 v# @  C
+ L& s5 n/ R  E沒人知道嗎?

2 t' {& P% W& c& R4 g沒人知道嗎?

hiyato

通常應該都是使用2的方案，雖然SD的部分沒辦法共用，但至少可做到中央對稱。

腳踏

三種都可以  LAYOUT上大多是面積上的考量比較多
大多數都試看RD的喜好 問一下RD比較好

alai

个人比教喜欢第二种，它是共质心（common-centroid)结构分散性也比较好。
: U$ R/ q" J) \# J1 G第一种不能共用S/D，active不能合并，比较占面积。
, @$ s8 K1 `5 x( F- Z! u4 J: B# B第三种分散性不如第二种。

  X, V: K% K  m. k[ 本帖最後由 alai 於 2009-7-13 11:20 AM 編輯 ]

man52013142002

第二種較匹配

0 c% S; A* D. ?7 q/ {! o- `可是為什麼電流方向不一致@@?

然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

minzyyl

原帖由 man52013142002 於 2009-7-13 11:45 AM 發表
第二種較匹配

可是為什麼電流方向不一致@@?
' b4 `2 g; t5 s
4 G; m: q" [- T然到不能不共用 讓他電流一致嗎^o^

9 z7 E. U+ P0 O$ c8 c如果S/D共用了則unit單元電流方向不一緻了

wiwi111

類比電路一般都會有Trim Fuse,它就能把電路bias 回所要的特性中
- A7 u$ p: G8 g1 ?$ u. i/ u' B所以,不,要那麼在意maching(不然你電路會很難做),這些都可調整回來的......

in381

其實那三種方式都可以,但是若是碰到非對稱的DEVICE時, Source & Drain 的方向性就有影響囉

man52013142002

所以

主要是要看電流方向有無對稱 是嗎

hoodlum

方法二
# s( E( Q  q, d4 [4 [( m+ d若不共用SD還是有機會讓電流方向一致吧???

minzyyl

看來各傢都有不同的看法阿

光考量對稱性, 肯定第2种優先, 但有時候對電流方向性比較care, 結果就不同了, 希望有經驗的Designer給點意見

HanGu

一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
$ Y4 ~, [5 ]2 k' X( J: G( X6 q# E# D電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
. q& W) E3 V! ^. x& F7 m都是一樣的。

karenchen

如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

minzyyl

原帖由 HanGu 於 2009-7-16 09:55 PM 發表
一般我選擇用方案一，這種佈局方式對於物理上來說A和B來説很好的關於中心對稱了而且A和B分佈得最均衡。
; }: [$ g! v1 D, r電學上來說，算上dummy的話，每個A周圍都是B，每個B周圍都是A，每個A的環境都是一樣的，每個B的環境
) a! s" w: j6 g- @8 b( W+ w都 ...

. E7 J7 m: X* h$ g( N5 |( B


3 U1 P7 d. g0 C4 I第一种方案對稱中心應該有2個了,而且這種不屬於common-central, A/B分佈的確最均衡,但這種不能S/D共用，就是説沒那麽緊湊.
0 P* X* h& l% V% `% M
6 ?7 |" C5 W3 y$ R5 j我覺得這個問題也沒有統一的標準,一般來説只有那種特別有經驗的designer才能知道自己應該用哪种方式,大多數的時候還是由layouter決定哪种擺放方式.畢竟有時候考慮的更多是電流,或者對寄生電容更敏感等.

minzyyl

原帖由 karenchen 於 2009-7-17 04:07 PM 發表
4 U3 T0 [, d; O2 v; a4 x9 t' v如果是要使用在in out pair 的地方最好還是使用第二種方式，除了SD部共用之外，在加上DUMMY 可以在減低STI 效應，但如果一定要將SD共用也可以將ＤＵＭＭＹ　上的兩側Ｓ　Ｄ　距離拉大也可以減少ＳＴＩ

& y7 s$ s2 F) Y$ Q$ J: {
                  
/ B8 r7 r+ x5 C7 z6 A3 a                 
請問STI效應具體指？

! t, f0 Q6 s# u) j" W                                                               
% B5 i. `5 v) @- [- W; z1 n                                             ?

瓦片小屋

我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

erwbeflkw

方案一：
  R$ B  o, u( `' Y% ~5 P$ x! i) h  AB     AB
        x
  BA     BA　　兩個兩個相互共用應該也算common-central

( V" z; }9 F& K: S) q2 _如果不共用
　A      B          A      B
        x        X         x
　B      A          B      A   
　　x1　　　　　x2
x1 屬於 common-central
) H. W2 H3 @- F; O0 Zx2 屬於 common-central
0 m9 Z5 _8 `% S& s2 w1 Gx1和x2 的central 又落在大X上所以應該也算common-central
6 |4 _( v' A0 c兩個A接近大X的central又跟兩個A遠離大X的central重疊
; M: y- |1 o" x, \) S

方案二已經是public 的 know-how了，如果有面積考量的話，當然就用這個
方案三會比會比方案一還弱吧，如果有再多一組的話，雖然也是common-central

semico_ljj

用第二种！

minzyyl

原帖由 瓦片小屋 於 2009-7-18 05:20 PM 發表
我一般用的是第一种，第二种也偶尔用，不过不会将S/D公用，RD也是不希望共用的，因为共用了之后，match的效果就会差很多！

    何解? RD不一定正確吧?