如何處理這3個DRC error

ckboy0928

請問這3個DRC error大概是什麼意思?那該如何解決?謝謝
(1) LV device must be isolated by NBL combine with HVNW
LV_DEVICES NOT INSIDE NBLi
( S: y9 T% m) U0 q
(2) LV device must be pick up with HVPW and N+OD ring
. I4 j2 L5 b* u0 rLV_DEVICES NOT INSIDE NPODR_HOLE_NBL

(3) LV device must be surrounded by HVPW and P+OD ring
0 {& q% A! w* _" bLV_DEVICES NOT INSIDE PPODR_HOLE

ONLYFLYSKY

試問，這是那家的製程規格，這真的不好懂

dendeicide

看上去感覺好像是，數位跟類比的一些錯誤，
9 ]7 Y( [) u( H( u# A' K
' ?/ ?# G6 M. z3 w  u; D1 n: ?如果沒錯的話，以小弟的猜測，
6 H- U$ U: J) ?( W2 L
你有可能把電路整個都是用類比的訊號，

# R% c, M! V- y! ]. u6 D- i) V類比跟數位的訊號要分開。

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
! {7 C8 p, E3 W6 y' G" _
8 g9 Y9 c& C) [& T8 @% `5 GLV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

yuany

不知道理解的对不对~~不过你可以试试
6 @8 ~/ I' K/ B8 q# ]- T1 {$ L0 q
# Y( \; \, q; H+ f5 r8 ?LV_DEVICES外面加一个NW ring 再在外面加个Psub ring

h2off0202

目前看你的DRC VIOLATION 應該是HV製程的VIOLATION
1 {, L1 r  V$ b9 f% m& L: ]  T3 v第一個應該是指 LV MOS 須放在NBL內(簡單就是用NBL做ISO)
另外2個要先了解你是哪種TYPE的DEVICE所發生的VIOLATION
/ ^) Q  f+ I$ G0 v! _+ D7 t7 C+ O3 `6 F才有辦法了解原因為何
0 a  E% |; n' ~  |0 C
若是有誤解的地方還請多多包涵

linanhung

看起來這個technology 的 LV device 是被 HVPW 包圍，在由 NBL 由底部經由 HVNW SINKER  Isolation 而成。
8 w# T( \) Q2 M! j# j1 \檢查violate 的地方是不是沒有被這幾個layer所包住。