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[問題求助] 以.18製程下去劃~90奈米所出現的錯誤

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1#
發表於 2011-4-6 20:14:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2011-4-6 08:19 PM 編輯
+ L# e2 b4 Y7 B2 P7 m7 }. E
- ~1 |0 {, ?( `7 q- \/ B" y* c2 P; S7 i8 p9 I% }
不知道有沒有大大可以幫我解決的!
2 q4 p; i+ Q" R; v因為沒有製程說明書~: W; D; k. v/ S1 e  e
而且之前畫.18都正常!
1 {# N8 E/ x1 H- o. @用同樣的方式加大元件距離還是出現了一堆錯誤!3 S: H0 {9 q) c( r/ L
想請大大幫忙一下到底如何解除這些錯誤!
# t0 K# l; O* o- _2 r* K4 e2 v謝謝大大了感恩!
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2#
發表於 2011-4-7 13:32:54 | 只看該作者
把錯誤訊息貼出來看看  I: R# d6 `8 Q) V
才知係瞎密錯誤$ [2 K/ S# e! h6 B" U
通常是 cont via 大小 不同
, B$ o9 R. r+ V大 metal 的 space 要比較大 等等
3#
發表於 2011-4-12 14:27:23 | 只看該作者
Layout時所需的工具:
1 `  K" g8 |0 X  e" b3 y2 o: ~5 G( J. D$ R( n. Q- `
1.layout tool
1 A* u4 M  c2 _8 Q" q# r2.Design rule (跟process 有關), `4 j' I' z; z* l$ d5 L& R. g& ^
3.technology file (跟layer 設定有關)9 ^% `  c! R& g" T
4.LVS/DRC command file (跟layout 驗証有關)  C+ _, C  x6 D, c) e4 v* }

" n  n; d% D+ k: c狀況一:/ \( ]2 M  w6 A& r8 |
不知道你的問題是出在哪個部份,聽起來像是用process 0.18um的工具去畫0.09um的東西
. |$ L! ?( C9 b3 t* t) F6 I, l3 M. \: w
因為你沒有你需要的90奈米的2. 跟 4. 項 所以無法去確定你畫出來的是否是你需要的size,因" u( ?( l9 f8 o* a* C

) v/ u- G0 t! d& o; c) W8 {6 V為驗証一定會錯誤。* N6 f' ]% V0 _; f

* R: |" O- p$ P& H6 k+ O1 A* a1 {% ]' t狀況二:
+ p$ x! p% ?/ M5 S( u: `. j; g, Q1 g3 K3 s  I
如果你有第2跟第4項的工具,但是是用0.18um的第3項,就可能發生layer用錯的情況,因# z- ?8 v# i/ Z

& [! O0 r/ K3 o! g* Z2 }為依據各家晶元廠的設計不同,所使用的第3項也不同,即使是同一家在不同的製程上layer
. t# g8 [& @8 L5 l9 `( K5 @7 K# t2 S0 y8 o8 Y6 h. y3 q; U" ]# J' D
的訂義也會有所出入,此時你就要使用layer mapping file 來去做layer轉換,使你的; V- ~% S4 ~. ]* x7 |% ], k
! e0 ~. j/ Y- D- L% X( ^5 z0 S- N
LVS/DRC command file能夠去認到對應的層。  B. d" d" I- f9 A  q2 T: {

+ t% h9 @- \+ {4 uLayout 要正確,最好備齊所需的工具。
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