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[問題求助] 請問那裡有op amp的layout圖及反相器各材質間關係的介紹

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1#
發表於 2007-8-20 15:47:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
因為學校教我們第一次畫反相器時,各層材質之間的關係 是由學長帶 並且學長自已本身就講的就是非常的馬馬虎虎不是很清楚。. h. W( H! V( S9 X
而畫過反相器後 我們才知道1棵cmos 原來就是要這樣畫都已記憶了畫法,但如果等到工作面試要詳細介紹各層材質間的關係及各材質是; Z& E8 W8 L/ F; M1 D
什麼? 這點 我就非常擔心了!因為已把結構就像畫圖一樣記起來 一棵n型或p型電晶體固定就是要這樣畫早變成記憶 。
( x( X7 ]+ ~; F/ ?  M. D$ G所以請問那裡有資訊有特別介紹關係嗎?4 B8 T' z; ~% t9 x/ x$ V
還有另外那裡有op amp的schematic圖及layout圖& }/ ], {# a4 ~# C2 g7 [
小妹我手邊的書並沒介紹到op為例子的圖 ,但想要問一下 先進們網站上那裡有提供 麻煩一下謝謝^^
6 @; y! |9 Z+ ?/ A) D(另外含有介紹op amp各層材質間的結構,這樣才好記憶這元件畫法)
- U: {3 d- g1 \% Y* `8 G. G: u& {' t8 H- J$ \
[ 本帖最後由 君婷 於 2007-8-20 03:50 PM 編輯 ]

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2#
發表於 2007-8-22 15:28:13 | 只看該作者
我想~~
) E6 g% [. }5 j8 ~每個電路的LAYOUT都沒有所謂的固定畫法% }) l. S$ W/ i7 @. H
全憑個人的經驗和熟悉怎樣的畫法~~% K1 a" r' R1 @& {  S& \
因此所謂的反向器畫法~~/ g. n( ^1 r7 M; @2 q; i
也並不一定要遵照講義上的畫法* N" e! \: r; \: u! `- z
只要是面積小..寄生效應可以降到最低..6 ~# Y# e$ ?9 u# h) f
就是好的畫法..2 _  Q! ]' J0 ]9 s; J4 ~
2 @* O3 j( H4 ], k4 k3 K: t; F1 ?9 [, V" w
如果要參考的話...  t1 M3 w' _) E! q% u% [
0 A3 w) E1 k" h5 E0 |& ~7 K
下面有一篇矽拓科技的LAYOUT研討會電子檔; Y. C% q# r  p
可以提供給您參考..
% q4 ]( D! K# f# n4 S# Z6 n裡面有比較常用的排法...
- s! |+ I5 {; q- \但是還是要說...
0 ?4 w; h0 V" m那些排法並非固定...
, U2 p7 c" O' u0 V/ |9 U6 u2 O4 F但是入門時...必定是照著別人的畫法..2 Y0 \/ W- ?1 W( e
熟悉之後...只要了解如何避免或降低寄生效應.." h- `( s# w- A3 L  _. ]8 X% Z6 f
相信您可以發展出自己熟悉的畫法
6 e+ T; t% w( `. P; W8 j% r& n; o+ B
[ 本帖最後由 jiming 於 2007-8-23 08:52 AM 編輯 ]

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3#
發表於 2007-8-22 17:20:04 | 只看該作者
As a senior layout engineer, i would like to say something $ M) g3 N- f: n) N
0 [4 h" p% W) q7 ~3 X& P- t
Basiclly, you can study the standard cell layout of TSMC or other foundries, which are common layout style. Indeed, in analog layout, more expirence are needed, what you need is just a practical project

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4#
 樓主| 發表於 2007-8-23 00:43:20 | 只看該作者
了解如何避免或降低寄生效應 乃是畫各元件主要目的 ,原來如此...
4 ]9 j5 z* t5 N7 k$ K- H所以各公司都有自已要求的畫法是吧^^
2 }/ H, I3 {) n3 U4 D至於樓下那位的建議似乎 我自已也常對人說 好像有說與沒說完全一樣,提供一點點思考方向也沒有! 還是謝謝這位資深佈局工程師的建議   3q
5#
發表於 2007-8-23 19:21:53 | 只看該作者
你應該想問各層間的關係吧9 z. D8 N8 z- B  M9 Y
/ A) p  n" I+ U9 P
NMOS從P-sub 開始-->Active--> N+ --> Gox --> Poly --> PMD  --> Poly Contact/Active Contact-->Metal1(一般是Al) -->Via-->Metal25 _, Z1 k9 `( [! m' j$ f& a$ J

# S5 u* U6 y/ O# pPMOS從NWell 開始--> Active-->P+ --> Gox --> Poly --> PMD  --> Poly Contact/Active Contact-->Metal1(一般是Al) -->Via-->Metal2
% ~8 C0 m& _* p" e$ t% ]
5 H- l# _' n! }) K8 i% p3 |$ l# ?
9 M7 g2 y: [$ Z1 _0 ]3 |! {connect (Poly,Metal1,PolyContact)8 C" z) m4 W6 v0 x* V
connect (N+ Active,Metal1,ActiveContact): h  i& Z8 c+ S, P4 }" F; ~
connect (P+ Active,Metal1,ActiveContact)
- Q6 V, K. p' Tconnect (Metal2,Metal1,Via1)
  `5 E: m' B8 c. o2 [# R  E. R
! R7 o9 A9 @8 `/ V只要熟析剖面圖上述就可知道了,不用去背。
/ Q7 ~1 G9 M% V4 }4 C  e另外你是畫layout,不會考材質啦
6 G( J' d0 U$ _# V+ C1 _! I# N3 y" r! m4 p
以上是相關資料供您參考
6#
發表於 2007-8-24 11:26:18 | 只看該作者
您好,我最近学习版图也碰到不少问题,想向工作过的人请教。
$ p5 q8 p3 |3 K" ?/ {: X延着哪个问题3 B! z$ B5 O4 m% g' S
CB  CBD UBM RPO NTN PLMIDE FUSE DNW VTMP VTMN RHI分别是什么层。
; z$ r2 D% V4 C/ }5 n3 x& \一直没搞明白。希望能不吝赐教。
7#
發表於 2007-8-24 20:32:16 | 只看該作者
CB-->指的是PAD layer,一般作為Bonding PAD的定義範圍,且為倒數2層metal的連接孔。! c/ n( O" S0 I9 j
UBM-->一般只的是最上層金屬,或為Au targe。2 _& }5 C) W1 j* G: s4 [
Fuse-->ㄧ般用poly1 poly2 或metal
" B3 ~8 }5 g7 V( QVTMP-->為PMOS 用的參雜
; M% C1 ~7 y  a6 p( T( OVTMN-->為NMOS 用的參雜

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參與人數 1Chipcoin +3 +3 收起 理由
world776 + 3 + 3 多谢指点

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8#
發表於 2007-8-24 21:55:11 | 只看該作者
想到2個
+ w  t3 q9 L% }7 W
8 n& K, T8 U, i* N& f" }. HRPO--> 我看過是指Poly電阻一般用Poly2' j2 N* ~1 r% g9 \  X1 f
DNW-->指的是deep Nwell(深層的NWell)
9#
發表於 2007-8-25 00:15:04 | 只看該作者
太感谢了
10#
發表於 2007-8-27 11:02:59 | 只看該作者
看来我的回答另大家不满意啊 那我再详细说一下我的想法啦:
( Z2 F: T: _; u8 `7 `/ i' d+ `* G' I% H: h3 B( m
如果只是简单的学习layout的流程,那么可以找一个实际的工艺,至少要有工艺文件也就是technology file,在这个文件里你可以看到工艺包含的layer;还有如果要画一个可以生产的layout,那么还需要design rules manual;最后需要的就是verification tools and rules了) u6 Y7 @- `" f, n7 [
3 c* c( @( h; c# X8 Q$ I/ z/ X0 H$ d6 K
楼主问到的问题可以去:www.edaboard.com
# s2 A6 y% @% f+ I" N+ O
  e8 w9 Y, v( m4 d. ^那是一个不错的论坛,你可以search到很多有用的资料
$ k! ?; o& X* G5 r% }4 D5 ^) x1 h3 \! Y( `

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world776 + 3 + 3 感谢指点和&#3121

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11#
發表於 2007-8-28 22:55:08 | 只看該作者
謝謝你的資料,但是我的閱讀權限太小不過還是謝謝您了

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jianping + 15 + 15 Good answer!

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12#
發表於 2007-9-1 20:37:42 | 只看該作者

回復 #11 SANSUI0304 的帖子

jianping  ?????# J5 z/ {2 {, H$ N

! ]: g0 m: Q' ~, Y: ?: c5 F8 h2 b評分很奇怪,看不出哪裡是Good answer!
13#
發表於 2007-9-3 17:35:46 | 只看該作者

ganxie

好多自己不知道或者不熟悉的东西,                                 
9 l5 [( q# R* T- N谢谢大家了
14#
發表於 2007-10-24 13:40:17 | 只看該作者
Layout的學問真是深不可測,沒有進入這領域,不知其中奧妙
15#
發表於 2008-2-2 12:50:42 | 只看該作者
電路都可以利用到最少空間不是那麼簡單耶
16#
發表於 2008-2-2 14:43:12 | 只看該作者

回復 11# 的帖子

我也無法了解 11樓的回覆  Why 可以得到
3 `6 U- k6 v2 R7 W  u5 M2 j, u5 g/ Y  }這麼多的感謝  與這麼多的RDB ???( ^1 k( A7 x5 i" M. a4 Z

: f7 q( b* S3 R: o* t$ K3 ^依我來看  3樓的回覆算是很好的建議4 O' e5 S" q5 i" V
TSMC的 Cell Library其實也是經過 精簡再精簡的畫法: K# P( D$ h2 p% A- d/ l
入門者去參考  自然可以從不會說話的 Cell Library上" ^9 W7 P- }8 L9 D9 r" T) h
學習到一些有用的技巧+ O9 {# }$ |9 O, Q9 Q" _' U

2 `7 c1 p& j! p, K! d% h# A# g[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-2-2 02:45 PM 編輯 ]
17#
發表於 2008-12-16 23:13:17 | 只看該作者
要在什么用户组才可以与大家共享知识呢
: S' e0 p' z. }/ s希望班组能告诉并支持我,十分感谢
18#
發表於 2009-8-11 13:17:14 | 只看該作者
我想對一個layout新手來說7 g2 x& S2 s# I" b6 q: D5 \! b
能有更多的前人心血結晶來參考
8 c, B+ ^6 m9 u) H: ?  M; z應該能更快進入狀況內吧4 j1 V+ A6 Y/ s$ n% v; T. r
  y& V- r) f  ?! p  O
感謝樓上幾位大大的不吝分享!
19#
發表於 2009-10-23 21:10:43 | 只看該作者
感謝分享好資料,可惜我沒有錢可以買= =
7 d3 g+ V' o8 d錢花得太快了,又賺的太慢.....
20#
發表於 2009-11-14 17:11:20 | 只看該作者
好多不知道不熟悉的東西+ }1 R7 x( _* P4 Y$ S: T' Q
謝謝大家的告知( y+ W2 \( l) c1 z1 I
又學到了很多
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