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請問SDRAM (或DDR)在PCB layout(for 4 or 6 layer)上有那些layout準則須要注意9 l0 Z4 ]2 q7 p" r9 h- N
才可以得到最好的EMI或noise效果
7 r: l: a7 i6 L4 Y+ F- J1 o9 ~3 c M" ^' `
目前已知的rule:' q; J- j# }% ?: Z
1. 走線等長
) n3 \9 ?) P) P. y - 每一條走線(Ctrl/Addr/Data)嗎? 還是控制線就好(Ctrl or Ctrl+Addr)?" s P) W/ w6 W& N ~0 C0 D
- 等長的範圍為何? (100mil?)* C5 z3 X1 ^7 R9 u3 d9 C6 Q/ [6 V2 m
2. Clock加粗" O7 }! X7 q" U' I8 ~# `# `
- 多粗? 是否不同頻率, 有不同的寬度規格?, t7 K$ a, r/ V& F( v
3. Clock包地
6 [$ t1 i% f3 j7 T7 j3 V1 z+ n - 須要打VIA嗎? 如果要打VIA, 做得到等長嗎?4 o9 r8 L8 u' `% U- O* X: U
- N/ W$ e. V; O& b7 r
目前做了一片4 layer PCB
! r6 E9 E$ x5 e/ a: N" O$ HSDRAM clock=148MHz. O, e9 j; Z6 M+ X
但整片PCB(包括ground)用頻普都可以量的到148MHz得倍頻4 c; R/ K) }7 V" w( _4 _: {
請大家提供一下意見
/ F) [/ R+ `: u" `+ g( @3 W. k; B5 Z2 y5 {" }
謝謝 |
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