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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表 + f( j, x1 J9 A9 g, O5 }4 H
代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。
- f! [- m. p1 w6 Q“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ...
! Y' g5 [+ J& f" Y如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右.. F: l8 B, ~. T# _9 I
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15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求4 A1 j) |& U r8 e8 ^" O6 w4 F
Air discharge 一般要+-15kV7 D! q. P; A3 G6 u) v' i
Contact discharge 一般要+-8kV) i% A; E# J5 r8 [
這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同
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1 R3 d5 `8 F( U, @$ z[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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