請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
  a6 Q, E: ~% c) A1 K, s4 L1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?


  e! \& N2 r$ i3 L# |; \5 T. k 謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
1P2M只能用一般MOS當電容吧~
MOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~
* D  y0 c. r! E0 Y; x; y- \
4 Z0 }  s& B0 \4 z+ G[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
光憑這樣 粉難看出來
也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
1 J7 w8 @4 T$ @可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
請問一下
1.那mos電容SPICE 語法如何下
8 G% _0 [: d3 r8 A是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
$ m# i. [2 c4 a& P( H2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
外面一排（5顆）cont應該是S端

: n4 p' K$ A' D; k* v應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888

一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
. r; q) \/ Q8 }, Y' G6 ]; E; ?0 `. o看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包

. U/ A$ v( P  D9 C
# b+ `; e5 G, D不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
' j; r3 C8 O. j) L2.此製程1P2M 0.6um
3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai

0 {8 ^5 S% v+ X  o0 L; e確實有這種bjt
只是你沒有碰過
它叫做lateral架構pnp的BJT
* D& t( G. z- \2 W$ N為高壓製程，非常少人使用
+ S3 I/ e! W1 ]; ^  _5 g1 {: Q我也只lay過一次
有本書上有介紹這種元件
* P2 O( m! y1 J1 |# }0 B"analysis and design of analog integrated circuits"
& k6 T9 y2 @4 P& ~1 g" z# IISBN: 0-471-37752-x
+ Q/ I5 p# Y/ q& h" z+ K7 xpage 109
你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888
5 ]) H, u1 b) r+ z
/ x, K( t9 U+ l) b
7 R. r( N( b6 s你po的圖不是mos電容吧~~
看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
  c6 x# B& a" R3 m7 L因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
GATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
! _& _; A* i+ P' K3 z  i9 E這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片
3 {, |, b4 G* b

小包

回復 14# kazamigai

有道理~
我也lay過類似的mos
; Q4 _5 J! `" v: V. R' J雖然長得不太像~
6 ^* d8 ]  v" b) w) m; b- F' V也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
中間那圈有接contact的應該是thin oxide
3 m3 ^" L/ w; j# j6 I外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
; t6 r% b9 m7 z7 T8 \有點粉紅色的應該是difusion
4 S0 Z- S% G; }, O0 N/ U內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
外圈應該是source
8 |) d* H% B1 }- h  ]此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
) ]5 J! e1 F6 o, o5 ]% Z8 X但ratio值難以估算 所以比較不精準
比較不適用於要求精準的類比電路