DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
: p% V0 J% J$ q) _1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
; Z& F& c' ~4 C* Q6 u0 R   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
}
$ k& O8 a+ H* x" h/ \( w2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
- {; i# q. j% Y$ b! @5 s% O3 e   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
2 r; q9 a8 a) O* q如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
9 g/ f$ E  }: Q/ jPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
2 g5 f3 V, T& C5 r5 \# WM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
這應該是poly與metal的density的問題....
PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
- K. X- V( x. E- E好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子