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[問題求助] 請問在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好

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1#
發表於 2009-8-28 13:50:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容,0 i5 u4 Y3 F; B2 V" N
請問各位先賢在加電容時,使用PMOS好還是NMOS好3 A* J( j) _# W# b! q
) M; ?# V: j& s) |/ o& O6 i" Z0 D
P/N MOS 如何達到穩壓的效果

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2#
發表於 2009-8-30 22:37:18 | 只看該作者
从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.
3#
 樓主| 發表於 2009-8-31 13:25:36 | 只看該作者
嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.6 a, h  d( L3 ^' [8 N, h$ }
是否就應用 pmos 電容,  B3 C+ @* h4 X: h  x$ y9 o
因其include 在nwell 中,+ \" w% b7 Z8 ~
沒錯DRC RULE會較大,影響size., E3 v3 O0 O0 u% F) |* g

, t2 a& W* u( y) i) s
; |4 ?4 }, l' x0 X$ K' F所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎?
4#
發表於 2009-8-31 17:19:13 | 只看該作者
个人看法,仅供参考:
" c# N" |% ?+ W7 d8 ^
. }- `, `3 c- w; X% N: M# p用PMOS做电容的时候,PMOS的NWELL与衬底(p型)形成一个反偏二极管,当地线上来一个瞬间大电流,能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然,在栅极上加一个小电阻是常用的做法。) s( I, c& S8 C
+ k/ N' _; R# O3 S8 S& ~
但是PMOS的电容比NMOS的电容小,如果不考虑ESD的可靠性方面,单从电容滤波方面考虑的话,NMOS应该比PMOS好~
5#
發表於 2009-9-4 13:18:51 | 只看該作者
同意樓上的看法; c; f2 r8 C6 I3 k. J1 _, U5 ]
以原理來看8 h9 H) \1 _' \! P0 ?" a
PMOS 的載子 是 電洞" Y2 C, b  ?; g1 A- V2 S6 Z" Q
NMOS 的載子 是 電子
0 R/ L0 z1 h3 X電子移動較快. L/ P  c6 O; ^$ l% b. C% i7 U0 E) H
如果無其他考慮
# y- A7 }! v/ r, C2 m) ?4 aNMOS 似乎 較佳
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