|
同意樓上ㄉ看法+ P6 s: _) u5 [% d
粉多時候是經驗值
! q$ K/ A7 H e, |2 I3 tESD mos3 E) {; r% ] h) h- R1 Z
1. poly width 選定
( P' y* Q- N5 E6 B) b, z1 O& `2. cont 到 poly gate 的距離------- 通常是 一般rule ㄉ 2-3 倍左右# B% C6 {4 o; Y2 p9 N* c
3. cont 到 od edge 的距離 ------ 通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
& I1 s$ @9 g0 V, M- a4. P/N mos 的距離
: L. v8 H! v* G0 t5. ground ring width- --------- 通常是2個VIA 以上的寬度
8 I6 A: `8 n- @- G( X+ H' F' \6. 是否加 dob-Ring --------- 通常是一定要ㄉ
; u+ \; N. o# l* r( ]) C- S3 Z7. P/N mos width 的選定
* l/ C, P: z9 F, b0 X! Y 補充一點
- O# W( F4 a2 q _8.看製程 決定 RPO or ESD LAYER ㄉ使用 |
|