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1#
發表於 2009-8-27 19:58:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問板上大大,lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
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2#
發表於 2009-8-28 12:41:00 | 只看該作者
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫  比較不會有問題喔
' j9 X2 R5 }5 ]) W希望這建議對你有幫助
3#
發表於 2009-8-28 13:34:20 | 只看該作者

ESD mos

1. poly width 選定9 M8 \5 Z' B. e' S, x* h% C
2. cont 到 poly gate 的距離6 s5 k/ }2 \* z9 Q) S& z& L
3. cont 到 od edge 的距離
* d; g% i; S# W7 b4 l2 r/ I1 |4. P/N mos 的距離; Z' @2 T3 z  C7 c# H
5. ground ring width
5 O2 g1 d: K* y0 {6. 是否加 dob-Ring" H2 V% J# t& H" J9 [3 T/ b1 [8 i$ G
7. P/N mos width 的選定
4#
發表於 2009-8-28 14:44:27 | 只看該作者
同意樓上ㄉ看法+ P6 s: _) u5 [% d
粉多時候是經驗值
! q$ K/ A7 H  e, |2 I3 tESD mos3 E) {; r% ]  h) h- R1 Z
1. poly width 選定
( P' y* Q- N5 E6 B) b, z1 O& `2. cont 到 poly gate 的距離-------  通常是 一般rule  ㄉ 2-3 倍左右# B% C6 {4 o; Y2 p9 N* c
3. cont 到 od edge 的距離  ------  通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
& I1 s$ @9 g0 V, M- a4. P/N mos 的距離
: L. v8 H! v* G0 t5. ground ring width-   ---------  通常是2個VIA 以上的寬度
8 I6 A: `8 n- @- G( X+ H' F' \6. 是否加 dob-Ring      ---------  通常是一定要ㄉ
; u+ \; N. o# l* r( ]) C- S3 Z7. P/N mos width 的選定
* l/ C, P: z9 F, b0 X! Y   補充一點
- O# W( F4 a2 q  _8.看製程 決定 RPO  or ESD LAYER ㄉ使用
5#
發表於 2009-8-29 12:03:29 | 只看該作者
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
6#
 樓主| 發表於 2009-9-4 09:04:32 | 只看該作者
感恩感恩…
% |" G& s5 q1 F6 v7 z) M) X% o+ [5 `2 x讓我又多學了一些相關知識了
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