HSPICE問題

raw1012

*******NMOS***********************
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.lib 'c018lp.l' TT_3V
( ^2 O% D: F4 R1 u4 X$ P3 S.unprotect
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. ?) h7 p. z) i5 b* @+ a( n
這個是我所寫得NMOS飽和區的程式那寫出來的圖形要怎樣才可以求得(UNCOX)
是要找飽和的其中一個點來判斷嗎?
2 B& x$ C) E/ p% D請大大幫我解答一下

minijasmine

你是指un*Cox吗？
+ q1 c$ X9 _6 l! d9 wun可以在NMOS管的spice model文件中找到U0；而Cox=Epislon0*EpislonSiO2/tox;其中Epislon0是真空的导电率，EpislonSiO2是SiO2的相对导电率，tox是栅氧厚度，tox也要在NMOS管的spice model 中找。

layes2

ucox.  is  outof date now.
you can not use it in deep submicron design.

markb

不同channel,參數值就都不一樣,提醒你要注意一下！

stevenbest

不好意思想請問一下為什麼會想知道UnCox呢
; k+ d2 r' K5 D* O, c- h$ |一般不是都直接從Hspice中知道gm就ok了