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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,
5 q' G$ ]/ R1 K: w! E3 W且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?
9 [* \* u' O" X4 o9 z% |因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
7 p; D0 Z" |# O. ^6 @. [該如何避免?
5 ~9 ?1 i& r/ f) }. E% d6 S又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?( G0 Q" H( V/ F+ ~0 r5 d1 X
該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式7 r: v6 m; {7 `3 b' T; L& ^. f
0 N4 r/ R8 O/ _# c; v! l
不過之後的layout才是重點核心的部分/ O4 L7 P$ _; T+ r" h
/ s, D' J% C3 h% Q5 G$ Y7 A* v' J

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
: S6 z' S! `$ z6 u0 v( h   各channel再做1:20(1:50,2:100)) _. G- w4 d1 Y  f, }5 H5 S
2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
1 r5 w& {- e8 F9 z4 d# L5 r   calibration cycle
3 L: L$ B7 h6 o1 N3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!  c2 {% `( f( H
4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
mt7344 + 5 Good answer!

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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!% y, o$ D+ H0 f; n4 e, D: X8 V
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!
3 `) m' n, u% Z6 A5 X3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!
2 D  ~4 ?. H" }. r, [4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match* T) x: b0 a4 P7 i" Y) p5 a
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定7 d; K8 l  B! F

  x/ v% v) P! Z4 ^1 q' o提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
! b8 F  R( O. A" |7 p! V0 w. M- P% I' H6 ]2 `- M: @0 {
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制
* f3 g& x' E2 Y* V, }: \" ^# {" I1 p然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知: B9 v8 R, F8 g, G$ R
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]% U4 W+ M0 @' c& G# b3 q; I
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
2 K7 ^' ^+ v; ?# |+ V/ P1 t3 |另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力1 _3 ]3 d& x  ~
並減短設定時間" ~9 B5 v, |2 B7 I$ e4 n

% ]3 y$ m$ K! y" h8 ychannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
1 C1 \) ~2 u. I8 m1 m這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題! L; R& P3 X% l3 |0 p: a, J
7 m1 `6 A& u5 D- u9 f
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,6 V2 m) Q7 E2 T
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)4 s5 u" R9 r+ }# j) J% Q

" Y5 D  J, _6 A0 _9 X) M* u: v: o3 y溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)6 ?, {5 z1 F  Z* L+ s4 ~7 r& |
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小0 x5 C) v3 p  b4 g8 t9 I; {' P: a9 u$ M
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,. I/ K' F+ c( P# m
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,% Y, U! L+ }# V4 M. s# j$ A
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
5 `9 |* N* @+ n選用的 theta(j-a) 必須確保在* W! i# \0 x3 e1 V6 h+ F- _$ H: K
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
1 l/ W' m! r8 d& i7 C; @選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑: g/ E" s- K# ~9 z3 ?8 _6 x
4 c# S, E4 |1 G$ s( d7 d: ^) ^+ \
1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減, O( t4 ~/ [3 y
2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大
% J0 O( d. Y& ^" J) I: P$ Z8 \( c3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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