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這個問題在 LED driver 會常常遇到
! b8 F R( O. A" |7 p! V0 w. M- P% I' H6 ]2 `- M: @0 {
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制
* f3 g& x' E2 Y* V, }: \" ^# {" I1 p然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知: B9 v8 R, F8 g, G$ R
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]% U4 W+ M0 @' c& G# b3 q; I
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
2 K7 ^' ^+ v; ?# |+ V/ P1 t3 |另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力1 _3 ]3 d& x ~
並減短設定時間" ~9 B5 v, |2 B7 I$ e4 n
% ]3 y$ m$ K! y" h8 ychannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
1 C1 \) ~2 u. I8 m1 m這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題! L; R& P3 X% l3 |0 p: a, J
7 m1 `6 A& u5 D- u9 f
至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,6 V2 m) Q7 E2 T
此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)4 s5 u" R9 r+ }# j) J% Q
" Y5 D J, _6 A0 _9 X) M* u: v: o3 y溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)6 ?, {5 z1 F Z* L+ s4 ~7 r& |
這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小0 x5 C) v3 p b4 g8 t9 I; {' P: a9 u$ M
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,. I/ K' F+ c( P# m
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,% Y, U! L+ }# V4 M. s# j$ A
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)
5 `9 |* N* @+ n選用的 theta(j-a) 必須確保在* W! i# \0 x3 e1 V6 h+ F- _$ H: K
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
1 l/ W' m! r8 d& i7 C; @選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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