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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,& Z$ |( K5 c; V/ i( c. q6 v
且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?; [+ G- P) T* f8 C
因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!: r8 E5 d( ?. v. b. Z1 \4 W
該如何避免?$ V7 g" {' b, `( r- l  n, A+ Z
又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?
2 C$ q7 T/ e/ [3 n; R$ E$ r/ s該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
) H  Q$ L" c. g. ]6 }. i/ }' S& z# C6 k' @' z: n. J
不過之後的layout才是重點核心的部分
" `1 e" l3 `6 V* K
) b; _2 Y% ~' q* g) e+ a

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
1 o9 Z/ U9 t! Y% c" v9 Z   各channel再做1:20(1:50,2:100)
! B3 P2 O# s& g- A9 B- o2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
/ [! G2 d$ f# E* ~( w. \( X   calibration cycle " n, h+ J  N7 [; X
3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!+ P3 o/ v: U. Q+ C. u
4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!
: |# W* E3 u! H) N3 A- U* k2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!& @# E0 U# _! D+ ?  B% N
3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!; f, [: v/ q) N# |9 Y; A# b
4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match' f' B. m% a% S; @. r/ y) x( R4 U5 C
再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定
( i6 W; ^7 {4 Q; I$ c6 N+ D
# l+ T" a, h9 l; `提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到3 i3 u; M) Q$ Q* l- b5 R4 v
$ W0 F2 g  c  y. ~( v$ a1 K2 k  M
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制5 ]+ Z  R. q! R) Q6 a6 h' S  q- b  z4 ?
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知6 E) F* J4 m. Z2 k7 G
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項], t4 O) L, W; L" i: C1 a2 W
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制& u# G9 V  C/ H: J$ b
另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力
" l! k& U3 l. j1 d* N# L並減短設定時間  U& L) {# `5 g" T1 y& h

: q% {! }+ Q$ }3 t6 `1 k0 ochannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error
6 P8 \7 U* @5 ]/ G這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題/ K3 p! p. I# P; [8 T

( e, C9 z0 g1 p; g8 H) v至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
, v- H4 V" x3 r( `4 g8 l+ g此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
; z7 A! F. f' d+ F- v6 A, [) a. O5 l7 [0 t3 @+ P9 b0 A0 A
溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
, d, ^7 _& H& F4 q這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小9 ?- M- T5 W# k1 M" ~
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,
! m+ X" f4 `2 N& n8 V在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,% a$ V6 v8 q" q; _" R/ c  x! q
Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a)! Z" J* T% a/ B! l- ~8 O  |
選用的 theta(j-a) 必須確保在$ C9 A  a: e# d9 m& ~: |" h
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree
. v* R+ ^* z) ?5 e* o( }選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑2 K# {" ?* M: q) p6 n
: j  `6 q2 v  m( b
1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
8 b/ D: p1 U3 \" S2 G0 o' O2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大3 Y, R4 e0 U' _- b' y7 I1 u$ @, C) Q3 g. y
3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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