ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
' A: e: a+ M  s4 |' w4 i9 @1 W2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
) K9 J# ]7 }- v3 q1 g要有上述的數據才能做最基本的分析.

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1 b$ w/ w" q+ t4 U$ Z1. 請問製程為何?
3 f! o3 g. ~2 E# v2 }1 m2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um

2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
: b1 g+ r$ X3 z( ]. s, ~5 {* g) N5 N6 k
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
均勻是指什麼
/ l- d" j) m! j4 y3 ^3 s9 K& J方便貼圖上來嗎