請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
% Z: [; t1 _6 Q$ K; s' U! L使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
8 U5 Z) o6 [! O! l8 k7 t7 ^而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

因為先前看過幾位畢業學長的layout
他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
7 \% [5 X. p9 Y" b不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
" Q% X. c* t$ W8 g; o/ ^但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
而是另外一個VDD比較好

謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
7 ?- ]( M% g1 y, Odeep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。
7 M* b- M9 N, z3 c$ v( N; B3 U