how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
! y, j; Z4 X: c' @/ m$ O# v; ~
0 Z- Q7 h' ~0 j* f& i
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

* B( e$ i9 x, |, r) [; N  s0 dthx
& R% c, G) M9 H: W5 s% o
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
* ]: R, l6 k+ }1 k3 ?* o一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
6 T1 K3 H  d7 U) R8 o如果要用精準的話那建議採取poly電阻
2 _" a0 y: i0 d- _( ^+ s
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
. L7 N! T' V$ T9 N8 j3 M# A以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
! b0 v- l1 R8 q, m  @5 `0 Z; X4 C
: A' ]. A1 ~- H% |  w9 |6 I+ @參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
- a0 h6 W5 ]2 U6 A# `* hGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
/ P6 F* G9 n$ S& z
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...

9 {2 g+ m4 a  S0 u1 [. aBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
7 @, @" r: u" [: n3 _# y9 K! _+ BWe normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
9 K& N! _8 K3 o$ `# b( sAny idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
: O7 T% |3 Z. y8 ^1 G* G/ S大面積的話  GCNMOS 比較好
0 {+ ]0 s: T2 n- ~4 P% @+ V( E. \  j但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
7 U7 y# z; d  V+ I& O麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
請問一下,關於GCNMOS ,
1 Q$ [" ?0 ]+ V' F4 hPower 會動的很厲害的話會漏電.
, m" |9 A5 I  o% I) W+ i
是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
' F5 }; x; Z9 j5 y, A! g那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

" q* f6 j% i/ Z. J: n0 B& r5 A
5 ^% m% v( t4 T& O$ N是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
1 ]7 G% J7 ?% \4 D% U) hWhat do you want to know???
GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
* o  h+ N# A7 W% ~0 j. j; pGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
( A4 G& [# }8 s7 @" y" b" eNor ...

' U, A- O1 E3 O7 u: J+ ^
5 I- O* Q) j+ |  ^. A8 S不知道你使用的是什么工艺？
' g7 r3 i+ x8 K* M- n+ l我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
3 _8 f( m) z) x8 X- Z* r
/ z4 w4 }. h4 n" W是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
  O  u4 p, [2 E6 d* V2 P
2 H6 m$ J0 Y" J- x6 m$ o& {延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！