body端輸入，gain的算法？

cwt1128

想請問一下，如果輸入訊號是由body端灌進去的，他的Gain的算法是怎麼求的？
例如：如果正常從gate灌的話，gain就是gm*(ron//rop)

chenjun77

body电压从一阶效应看将会控制阈值电压vth
, s, _& {- z4 A0 _vth=vth0+gamma*(sqrt(2*phi+vsb)-sqrt(2*phi))
" S0 [1 X$ ^) [  z1 i1 a3 j而Id=bata*(vgs-vth)^2*(1+lambda*vds)
: |$ D1 t3 c4 f. }7 @7 X1 Zgm'=d(Id)/d(vsb)
因此gain=gm'*(ron//rop)

g923964

找出gmb.
gmb=id/vbs, gm=id/vgs
但不太懂為什麼要這麼做?

yuchung

g大是正確的
去Hspice的output file找gmb值
5 P1 @: u5 D- K/ ]- h# K0 ]) @但是這樣的schematic基本上是亂搞
沒有人會從body灌信號
7 m8 \5 E. G3 \1 }! G$ x: X4 C" U(gain很小  又有substrate noise   還要擔心會不會latchup  沒人會這樣做吧 )

tshiu

IEEE有很多篇關於從bulk端灌訊號的OPAMP
可以到IEEE搜尋鍵字多看幾篇paper
應該可以找相關公式推導

corsair

關鍵字應該是要找bulk driven
3 w, ]4 H  u6 w; J- ^通常是使用在low power的design

joel4746

從bulk灌電壓，主要是想在low VDD時，又想ICMR大，偷input pair的Vth。
假設VDD=1v，ICMR又想rail to rail，假設N、PMOS的Vth又降不下來，
foundry又沒提供low Vth的device，用bulk driven是一種偷Vth的方法;
但也是有缺點，印象中好像是gain變小，從gm變為gmb去推導，也會有接面漏電流出現...
至於Vth能掉多少，大約是你偷Vbs的1/10。
$ x1 b4 X- G* \- E& ~請各位指教了~