|
刚刚图片不能显示,现在重发一下,图片在附件里.在下最近正在徬真一個一個低壓低功耗基準電壓源,如下圖所示
- v9 S0 T6 J# R5 j5 o/ R* p
6 o- U# e, R" V) X: K4 F- O$ p$ r
9 x$ X5 b M% k2 w. h- l6 P其中M1 M3是高Vth管子,工作在亞閾值區,其他管子均工作在飽和區。現在的問題是,電源電壓穩定性(LNR)很差,前仿结果在电源电压从0.8V∼2V变化时,输出Vref变化10mV左右,而论文的测试结果是,Vref在0.9V∼4V的电源电压范围内变化6mV。" } D1 }" u& b% F; l& q) a
我所有的管子在我关注的范围内(電源電壓0.8V∼2V)都是工作在饱和区的(有两个必须在亚阈值区,但Vds均保证大于4×VT),我所有的管子的L均取10um,除了希望降低Vth之外也希望降低宽长比减小电流。有些管子的宽我取了250nm,也是为了降低vth和宽长比,这样就有了W/L=250n/10u这样的倒比管,不知道有没什么问题。。。。另外,由于我的电流取得很小(两个支路是26nA左右),不知道leakage的影响是不是很大?似乎前徬真的時候看不齣有漏電流。下面是我所有管子的参数,这个基准电压源结构是全MOS管实现的,无电阻无电容无BJT,总电流论文上做到了室温下40nA。我用的是chrt0.18的工艺,
4 Y- f( e; a/ G9 cM1:id=26.7nA W/L=10um/10um vth=497mv& C4 J( `- M4 M0 ^
M2:id=100nA W/L=1.145um/10um vth=336mv6 A. n6 D1 R' p, K) p+ t9 I
M3:id=26.7nA W/L=2.85um/10um vth=487mv
+ Y) e% Z9 g) S; H u' VM4:id=100nA W/L=220nm/10um vth=245mv
6 M7 F! t/ [# L* `8 c1 g" B9 y( IM5:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv1 t% ^, s4 }$ n& ]- x
M6:id=26.7nA W/L=1um/10um vth=-318mv$ X D `0 g# N3 s; X9 O' s* M
M7:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
0 ?# ~" P. W( d8 T1 P5 sM8:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv1 \) R7 o( R5 H! o6 }# V
M9:id=100nA W/L=17um/10um vth=-345mv
: [0 K0 h# O& H$ wM10:id=100nA W/L=4um/10um vth=321mv H/ ~4 i, @9 D
Vgs1,2=400mV Vgs3,4=450mV Vgs5,6=-400mV Vgs7,8,9=-350mV Vgs10=438mV k, s c: g/ D% H
痲煩各位大大給點建議,怎樣纔能提高LNR。謝謝!& P) k$ c$ E& h- l
& u$ |3 R0 z0 `" y! |, |
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-12 11:29 AM 編輯 ] |
本帖子中包含更多資源
您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員
x
|