请教几道analog面试题

stanleyy

都是些纯技术的问题，关于op-amp的。

1. 比较三种结构：a. 2-stage op-amp (active load, class-A output stage); b.
telescopic op-amp; 3. folded-cascode op-amp。3者各有什么优缺点。
% i9 G/ C* B+ K  b  a, a. T( l
2. 设计普通的2-stage op-amp，是第一级还是第二级的gain比较的大？为什么？
4 k; X9 S7 {0 c4 x0 A
' C1 D' X, Q4 d) [3. 普通的2-stage op-amp,如果没有任何freq compensation,那么那个是dominant
# ^, I6 M1 @! @+ ?4 T( k- opole?哪个是secondary pole。请解释为什么会是这样（就是说，你要是说第一级输出
; A. X; x0 W3 F0 M( l- }  e( [: O是dominant，那么好，解释一下为什么它是dominant;反之亦然。）
( X7 }- f% I8 ?
1 U8 J- w, u4 a/ D7 l# Y) ~4. Miller compensation一般是怎么work的？通过Miller compensation,原先的
dominant pole现在怎么样？secondary pole现在怎么样？为什么会出现这样的情况（
! y% N- Z- O7 ^. s! r5 R; h( Q/ [我们都知道Miller是pole splitting,让低频的pole更低，让高频率的更高。你要回答
的是为什么会这样？不是单单从公式的角度）？

# Q7 {# t' H+ ^* R. z3 R5. Noise，对于一个input pair来说，是PMOS or NMOS 的noise更好，请解释主要是什
么东西引起的。如果降低noise，gm需要减少还是增加？
1 _) B& Q. q0 l+ L+ Q' G! b/ ~
6. offset，对于一个普通的2-stage op-amp，有哪些offset （input diff pair,
" m  [& {* D# v2 w; _1 {/ coutput of the 1st stage, etc）,在这些offset中，哪些是有major影响的，它们各自
- J7 L9 J1 \4 l的影响分别是什么?
) y$ q$ k7 @8 J
, P, }1 N& y' B4 [; A0 q+ e7 t; i期待牛人的详细解答。。。

kuohsi

1.請看Razavi的書 P.314

+ I: Z8 d' H" b- U6 y2.通常是第一級，這樣input-referred noise 較低。

5.PMOS可壓低 flicker noise，但是60nm以下差別越來越小。gm當然是大好，理由同2。
% a+ e# s1 X. T# Q
其他忘了，請各位高手解答！

finster

offset主要區分成二種
1 X5 D: F; t4 [- F$ Q) G1 k一種是Vt的offset,另外一種則是current mirror or current source offset
Vt的offset主要的影響來源來自第一級的differential input stage,這個offset主要來自製程廠的因素所造成,這個offset絕大部份的評估是以製程廠所提供的技術來決定這個Vt的offset值為多大,一般而言,面積愈大,Vt的offset會愈小,PMOS的Vt offset比NMOS的Vt offset要來的大,若要消除這個offset,可以從input stage size著手改善,或者可以從layout手法與對稱的方式來改善
9 f4 v- A# V" ?' c4 j5 _第二種current mirror or current source offset大都是講第二級的部份,形成的原因乃是因為current mirror並非理想而造成的offset
這兩種offset以Vt的offset影響較嚴重,也較難解,因為area會直接決定Vt offset,而current mirror or current source offset的等級跟Vt offset比較起來小很多,一般來說都是先考慮Vt的offset,若有其他餘力或者area,再來解current mirror or current source offset

hoodlum

小弟也來提供點淺見:
7 z2 `/ p, C3 j6 e3 Q( M
第三個問題 :
      two stage OP在沒頻率補償的情況下,dominant pole應該是落在
9 a4 M2 h( J$ m1 _5 g$ n/ |       輸出端,而secondary pole是落在第一及輸出端,因第一級的OP較大
       C應該是current mirror 的active load裡的mirror pole,但此
       點看到的R卻比較小,約為1/gm, 而第一級輸出阻抗可以提供大的R但卻
       僅MOS的寄生電容來提供極點的C,所以第一級都是大R配小C,或小R配大C
8 r0 \4 \" e3 \1 _3 y3 v      而輸出點通常看到的loading C會比較大,且第二級也可提供夠大的輸出
+ l4 ^5 h' I0 L! |( O% u2 m       阻抗,所以在沒頻率補償的情況下,主極點會落在輸出點,次級點,落在第一
) u! f4 S9 j# k, _) K' ~, m- K, i       的輸出點

water100

請問樓上的前輩
何謂mirror pole呀?!  是current mirror造成的是吧!?
而這裡我記得會有所謂frequency doublet現象是吧?!     
第一級是大R(應該是指Rds並聯吧?!)配小C ,
" W+ M0 U0 T, N' ~小R配大C 是怎麼來的呀?!
. P6 E5 W# v; U3 K" Q% I* L1 J謝謝大家的回答^^

hoodlum

第一級diode connection 那顆MOS上的寄生C較大
& G) d8 T3 C% p# E; s但此極點看到的R為diode connnection的MOS所貢獻
2 F5 I# [* q' P* I2 u8 J約為1/gm比第一級輸出阻抗小,所以第一級中的pole在
無頻率補償的條件下,極點落在較高頻率形成非主極點

fu20094376

两级运放的主极点应该在第一级的输出端，次极点应该在输出端！
   一般的两级运放的第一级主要实现增益放大，第二级主要实现输出较大的幅度和一定的增益，对于具有较高的增益的第一级来说，输出的阻抗是十分的大的，并且输出点的电容就是第一级的输入电容以及本级的电容的加和，该电容也是十分的大的，由此导致该输出级的极点时十分的小；对于第二级的输出电阻，由于该级的重要的目标是在一定的增益的基础上，获得极大的输出摆幅，因此输出电阻相对来说较第一级较小，第二级的负载电容也是较大的，由此导致输出的极点也是十分的小的。
   一般来说第一级的极点相对来说要比第二级的极点较小！

4 v2 t0 E. i# n# p/ Z   请多多指教！

semico_ljj

第三题解释清楚R，C的相对大小即可，就能看出你对电路的理解程度了！