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[問題求助] NLDD與NDD

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1#
發表於 2009-4-23 11:26:37 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問一下各位:2 l5 ?* C; E, t3 t1 Z( b6 M9 W9 V
NLDD與NDD這兩層layer是做什摩用的??
% |' \+ N0 d3 ~5 t& O在layout上要注意什麼?
: R8 J2 _, D4 u2 [如能解答,必定感謝
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2#
發表於 2009-4-25 10:20:47 | 只看該作者
NLDD is a N-type lightly doped drain (implant layer) for E-field reduction @drain or source site especially for general submicro process.
0 C# d# \/ ]3 K) W; s  A7 vNDD is a N-type double diffusion drain (implant layer for current technology) for E-field reduction @drain or source site (depend on asymmetric or symmetric device structure) especially for high voltage process. No special layout concern, just follow DRM.

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hyseresis + 3 大大願意分享出來 真的好棒唷!!

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