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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變
8 Q3 f8 F: U& }7 R9 W) L電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,$ k  u) B6 F) `( e6 l) n
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name. m8 M. ~: K8 Q1 V; Q
是否有問題.  A' ?$ P7 [1 _# ]3 {
ps. 1  error report是  + g( O$ T) h4 n: E; W; k' @" n
******************************************************************************
9 j# e0 E! |) s6 j3 D                                 INCORRECT INSTANCES, H$ a3 L9 s" O+ b4 o$ M3 K# e

- I: D9 E% g" L7 s8 uDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME1 _" ?6 i& C% n1 n0 @# @
*******************************************************************************
* n; w6 n! @7 {6 j& B: b4 q3 z) n+ S/ L9 D
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)% z# s( t$ y2 V$ W. M$ v$ @0 `

. W; |- P  S7 _% T& h$ I只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
. g0 J: ~8 O7 S  j9 n! E
8 c9 s' p2 i. q& F  Ips.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
9 ~3 C1 B8 b7 ^2 Q: |% P7 ^     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測5 w$ r& K- V) u5 w" r3 d
應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
* {; w3 Z3 r, \- B' W所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,/ _6 A6 R6 N* E6 r3 g
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.9 R9 q1 e. k5 t( n
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
( o- s% N8 k# D不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion
& h! N) M9 E' a$ }) N! }* H$ l: ]guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
4 ?* G. q  L) w: B3 H3 k而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos  u  }+ b' u6 T0 p  l, F/ I
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
; M) G6 G8 ^6 @command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的( z1 h/ @! G4 v; |3 U# S
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
" @+ b9 @( Y( x! `是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
& D* `/ H" e/ P& H東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
0 z7 C2 q; K1 A另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的1 E1 L2 |+ X  L1 `
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
1 g4 u# U& K6 G  S$ \1 e; g  V7 S所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!5 V' W3 y+ J- i
加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!0 i! b0 f# J* U6 {$ I4 I7 ^
這個電容有許多人用過!!/ B- q) x+ I6 U
早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣( p' b' i; r6 \) s! H6 w$ r
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
  b  u) l5 L' E* |$ g6 z9 d$ Mnmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)
$ m) I- U3 c, c- i( V這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用4 Z  z* r" w* Q0 g: H5 {, o
"nmoscap",這樣是否可以.4 ]2 U+ T) S. H9 K3 g$ j
我在netlist file上這樣描述,
( f# F( R' ^4 H5 p. F" F6 ]8 F- cXMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
" n: e' V4 j% j# w2 W; L然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式: p& V. z! ^; C( q$ ^; _
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
  N2 [. [( N& R0 q0 P這個問題.
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