Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 12228|回復: 7
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變  W' f# C4 s+ F: g" ?6 p. k
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,# N7 D# E) n8 ]: W; j/ J
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name
- d6 X, _& W- @8 a5 |3 ?是否有問題.+ ~+ J- B8 {' t* z6 M9 u$ f
ps. 1  error report是  
* E! ]  ~6 P) ^) f6 ~******************************************************************************( e9 {; \. p* A  o
                                 INCORRECT INSTANCES
$ H/ F9 Y. w" u5 [! y# @7 U- w2 x2 g9 @1 ]4 c5 @/ s$ t
DISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
  n1 K/ ?, t- j; C4 Z, C*******************************************************************************7 d( Y6 l' ~4 n% h
; o, B2 _7 U) ]+ W2 z# w* I
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N): U( }$ `; q, Q$ z# k

( |/ E* S( M$ U) }7 G只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
/ q. v6 t+ A8 U, s- x6 Q( e4 r' y" Q2 A9 [) h3 v( v
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,
; W# T9 C$ r7 T% S     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測
$ j3 E4 }  T7 P0 {應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
* I7 W3 R5 b. g所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,
+ }! {  v/ B: I. S6 y卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.; m7 V, t2 z: Q8 x7 p
所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
, h1 z% h8 _; `: N0 V. C不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion) S' n: i& D# q
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,
8 B& _, A9 o& _/ u6 s而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos5 m& O. D" D# R' I& J! ]# ]
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓+ T3 E" U6 n' ]: A
command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的
% P5 V4 o- k+ d( F: g# z東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring+ |9 z( K' {1 F. Q
是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個
) G# e2 @, L+ I( |- G' [: v東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
  ]% t4 j9 _, T0 c! A2 _5 l3 Z另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的) l, f1 H) }& n# @: q
人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
* \- J) U2 t# ~$ |' D5 T所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
  F4 b8 a7 _' N$ b2 H+ Z加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!
' Z% M* q8 S* H這個電容有許多人用過!!
" p9 p- l$ i2 T! l- B0 Y1 `  G/ R早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣, S: b. u0 P8 S1 ?
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY  c+ S0 _8 v$ i2 q2 [1 U) x
nmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)) j) `5 C/ c1 B! @0 t
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用  ^6 [  _3 F; D* b) j& y3 M' A
"nmoscap",這樣是否可以.
0 h" Y$ |5 M, y/ E' E* Z我在netlist file上這樣描述,) x  k0 k; C; N" h4 b/ _
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=1
* O0 ]' q* r2 V: M8 w' l然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式/ \+ d: r$ l4 B1 t: U: r! M
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
9 J4 w& n% A( t. X1 H( c8 M這個問題.
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-4 05:35 AM , Processed in 0.130016 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表