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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下9 w$ o2 I* q, T5 t$ W) R+ G1 c
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
+ Z- ?3 y7 v+ ]( N' g* h0 _) R" N運算放大器就使用Folded cascode op
! q' U: M- b0 I9 c. j* p. p& q& J/ i% T
我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?1 \( s0 P$ L6 d  }
+ _3 G2 V/ f( K2 }: g! W8 [
還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?( O1 E$ T* \' b  F! v# t) N3 {

8 {+ u. w6 p1 N另外想再問一下
6 [0 J5 @) ~) I7 @6 h- yHSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF): K/ N1 `2 s: f2 I( t# o" l
請問這幾種有什麼差別呢
5 c! O& h% E" k0 @7 f! E# E小聲問(ppm是什麼的單位)$ r2 g) f) d) w' `$ Z
謝謝各位了
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2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation  M0 P% {" c' C1 U! b4 B
1999 JSCC
; d( c  R. ?% ~; O" |# e' C看一下這篇論文吧
3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了6 ]4 X6 r: x: `7 d4 A

& y+ ?$ t' i( Y; X- ]2 u7 LPPM是指百萬分之一' a& M; y. N' S2 F  E
! b3 D" J. U! Q3 O" K: }4 o, h8 F4 U& {
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
1 T  u1 b8 d1 j9 q" L: k快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快6 q" Q4 ]# I" T* m# q
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
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