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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一下3 u+ ]& T' P# H6 f4 C
在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
6 B4 O6 F! ]5 `: X運算放大器就使用Folded cascode op
/ W, i4 F6 I/ ~
+ V: h! Y. s8 R* g我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?
( \% j- a9 o- g* r7 E* ?
& M+ r) U, O( ]! [( O, k7 C還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?
3 @8 f& x' i1 |' O" s8 W* G+ N0 g
, u8 Z7 x4 c1 M' e& n另外想再問一下; N+ J8 t% x, I! K
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF). U6 H" e+ v8 ^
請問這幾種有什麼差別呢
0 x1 E0 a; B  d+ L5 v+ H小聲問(ppm是什麼的單位)" B$ L5 i" @5 P$ e+ O! {  o
謝謝各位了
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2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation4 l  _' z1 u4 [* Q6 {* Q$ X
1999 JSCC  g# [- Z$ h: |( j+ S- a
看一下這篇論文吧
3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
% i4 B1 s% y/ L- q2 A! U, `% K6 z5 s, u& U' h' ^
PPM是指百萬分之一' o5 y* R, T  P) R0 ?! t
, {4 x  F' m) l& }2 n0 N
TT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical# s6 h& x! m8 b& B, e
快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快7 I4 Z+ E: B6 J9 Z. c6 s& S
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
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