op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
0 E' e1 m. a% m5 o6 |+ t但重新依照他們的指式在畫過

依然還是一樣的錯誤訊息！
" V# g- z) |% m+ r5 a
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
7 z# r& Z2 U7 c" d2 T這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
9 b& z) w9 U" A+ J我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

類比電路果然難理解
0 Z1 t5 q% ^" H% y' t& L; ]
' Z. U* V1 b( z1 ^希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
. [' o5 i, _+ t( U& l" k  |) W在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD

$ e( X4 D5 I$ o/ C5 N/ E這個我有點看不懂是什麼意思！
$ S9 }" }, q. r% I可以在詳細講明白一點嗎!!!
5 L7 F* \) V# n5 @; |
OD是什麼意思？
9 a4 I0 B' R& W4 a/ D$ nP-well不是nmos的p基體嗎？
2 U3 N$ H+ ~" o! @2 i' G+ l
8 T+ q+ T- b9 W8 @- k5 w% p% ~不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
: U# |  R: |3 H  ?2 H是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
" D  E- k: o5 T/ m% }0 @2 d就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

+ v# W8 n7 b0 b3 s$ O. S* R, V在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
! B8 ~, f$ h2 J" i) o, @) l1 d要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方
3 H5 h& ^3 a# f: ?
( E7 Q4 G* t; K以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
  v4 q, c0 B" Z4 h簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解