op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
3 n, G( _7 f% c也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過
$ O0 U+ Q3 ]7 z! W
: e( E; m5 ~: `7 j4 n0 Y$ _依然還是一樣的錯誤訊息！
. g; V' ?4 q. k  z* b" y- W
LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
* e3 }% H- w3 g# a3 V/ M) K這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
0 E: ^1 }$ T; v
% B- J( r6 h  v- S, Q; j類比電路果然難理解

) ^( \; Y& {6 N, R3 [0 e; g, v0 _希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD

) h4 y/ c+ l# @! p這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!

3 q! |' L* k% ~: S% i7 a4 m1 }OD是什麼意思？
P-well不是nmos的p基體嗎？
3 `% u2 t8 a- J8 m( \
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
% P$ `3 @7 e' n% @$ |20um半徑圓內打幾顆P+_contact
: ?' E- |+ l9 K, ^就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
! J! M9 U/ F9 M: S2 W要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
# @* M; `2 U* S, C: \8 V加 N+DIFF ㄉ地方
+ M0 C4 @, o5 G
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
1 X# I1 G% u: t* Y$ k但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解