關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
. ?0 `1 V- x. x之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
& w. W( l0 D. }1 K7 P6 _3 P& r因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
" Y) [. ^5 ?* j, J8 b, I
所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
8 e, _8 B" H* N  f( u0 j% j這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

) @/ m% L8 s2 @/ h7 _" J, s以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
: |0 s# q! f5 B如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
- t* y2 v1 x, T4 n. ibandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
% }3 C% v  e5 j- o. t; U2 V* d1 k

5 h5 O: y0 {- e  ^1 Z! r3 f3 A" F
. z) }: V9 `6 E: b6 p[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
/ W9 H6 {. O6 a  p- I應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
+ F7 Q+ t2 k- j  y假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
# w5 H2 N5 y, c; ?" u3 z但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態
, c, |7 t0 `9 l* f  Q  P
re:relax918
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
$ J$ k& h. _$ {3 A- d這種架構就類似於Diode-connected Transistor
9 R! o8 V! d7 N0 v, `1 _二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
! Z( l8 R" A+ X* t. x* F0 q5 T: {但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
# s- x2 P4 h; m1 n' a, k. n) Y1 a8 A公式的表示方法也不一樣
% v3 |; V/ q6 P) W0 ~% S操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
4 k% k; b* j: n) _
; f% S. H5 B; y1 A! G而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
7 X- w$ V' d3 q" ?利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
2 w- }+ Z) c& A' u9 U* R應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
/ o* p! K2 X( d) b6 t, v
但是何者較穩定就不保證了
% ]8 o) d5 D% |( }+ W
因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
$ L' R0 ?% o6 I它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

8 a2 b! U9 @, L7 z0 o感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
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