DRC 出現的錯誤

minagroic

在DRC時有兩個錯誤不知道如何解決，又看不懂希望能給我解答。
謝謝!!
* N+ k& \- h" H4 G6 q1. PO.R.1 { @ Min poly area coverage < 14%
) p. w( h7 G- T1 K0 m% m, L   DENSITY POLYI INSIDE OF EXTENT < 0.14 PRINT POLY_DENSITY.log
( @( l0 V8 K3 N/ B% A9 }}
, G9 I3 w3 V: l2. M1.R.1 {@ Min M1 area coveger < 30%
   DENSITY M1I INSIDE OF EXTENT < 0.3 PRINT M1_DENSITY.log
}

m9507314

如果你是要下晶片，那最後有多餘的空間上補上poly &metal1即可
; V/ {1 H4 \/ `1 E9 J如果你不需下晶片，那這個跑DRC時可以忽略
" J# g  Y: M: ~% O" U) ]PO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
& s% M" i  G" z$ y, F7 iM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14%

lcctsai

說的沒錯,但好像有筆誤:
M1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於14% ---> 小於30%

kf_chiang

一般 POLY & MT1 density 不夠應該是 whole chip device 不多造成,如果 chip 還有面積的話,建議加一些 VDD<->GND MOS CAP ,如此可以同時提高 POLY & MT1 density .

vic

小弟的淺見...
% {" P1 g# V" U' o: j; I6 X這應該是poly與metal的density的問題....
1 T; C  z+ G6 O2 j3 T( mPO.R.1==>poly面積佔總layout 小於14%
$ s& n/ Z- x; E  k% {8 uM1.R.1==>metal1面積佔總layout 小於30%
好像增加poly跟metal1就可以解決的樣子