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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情. t, a5 i( s2 y2 {8 H
      
7 V- `2 k, e2 G, z% r我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS
5 O1 z5 c3 `* ?0 k$ L3 M其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model
" L: u$ O* J0 i0 D& f/ R# i& _令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣
) m% N2 E4 U& L+ l$ o. }4 S5 M從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的% e/ P$ m, |  q, L- D. N
但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
" c2 ^& p! j2 Y+ {! R# w0 Q0 y- r" ?$ U) c
另外, 如果我使用ic 5.0.33
% H( ^7 Z" p7 M我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)       
3 |( m$ H) ]$ @% }8 t; W# ~2 L跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
( V9 Y) P; u  k4 X6 d. [8 C9 s5 Ynoise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
1 e8 R: x7 Y. t0 N' l) s' w; `. ]" k2 L! `1 z9 O1 S7 W

' B5 P- R/ w$ S不知道有沒有人有類似的經驗可以分享' U6 d! A8 L. r0 s: P, ?( }6 N
感謝~~
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2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,: Y. u! Q4 L' p* [/ w
當然不同.! \, L( n2 h( w: P9 i
使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
. K" o* s; _# P9 ~) P     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線: I: H5 U6 F/ ~/ S& Y
     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
+ J/ Y2 e# e6 D5 O8 P; \2 S- `  y( N6 X" ^  P5 Q
     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣& V; P1 _% c. v8 U  S3 y+ @
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常, x% T! \4 }, u' O
     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處8 R# |8 J/ v: x2 ]$ K
     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??0 N) p. w8 E! J8 l
     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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