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標題: noise figure simulation problem [打印本頁]
作者: ymlin    時間: 2007-9-10 02:41 PM
標題: noise figure simulation problem
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情6 w  o/ E( B, h
       3 c' ^* G9 r- g/ X
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS
9 [8 B& b0 s+ h( g: M其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model
: I& E. ?& y6 `% q% R令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣
- ^. S0 W- @6 x* v4 q$ @0 a7 Y9 G' Y從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的
+ u6 X+ y' v+ T1 ^7 U$ r  x7 [但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
: k& O: ^+ G( H' B, M0 E; }) X8 \9 {% u& u6 V. `
另外, 如果我使用ic 5.0.335 Q; V0 i  T( m) H
我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)       
9 @# S, S* R! I  z7 v跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
0 H. a2 ~9 ~9 f* j$ [5 rnoise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)  B/ `% Z( {- G2 S6 u5 D
/ L; @; F$ m( q( [  L
$ S& Q$ n2 ~3 }
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享' v8 b8 j% p. B$ h; l+ u5 c& L  M$ c
感謝~~
作者: kokokiki    時間: 2007-9-11 10:42 AM
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
; k, v. a0 c: u3 N4 @8 O# @當然不同.
' o$ T8 p; V7 @使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
作者: ymlin    時間: 2007-9-11 02:43 PM
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯( K7 F* T" m: C, q" j; C  P+ l' U
     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線: o8 Y& D1 _' |: }% X# K  D% u& h
     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
3 Z2 h( p$ Z/ m/ h
) e  e& X" @" b3 p1 \1 M" U+ E     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣- G$ v. }8 V; ~2 ^0 t
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常' ?( s- k2 |* p! \# x% B9 Y3 P
     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處1 e2 [  H* r' M6 i; \5 c* |) N
     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??
! |( [6 T3 n" }  v, b0 |  s& {0 U     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
作者: kokokiki    時間: 2007-9-21 11:16 AM
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.



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