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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情
  n8 P! k- \) t3 Q1 j       8 r. e1 W* m2 D/ ~* C
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS
; g- K, r7 ~' F. q# t# z其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model  g* M2 T  w: e4 `8 q
令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣- K4 D0 F1 a0 P
從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的
& d* U, T8 v+ K( e/ @但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??$ ~: O4 [1 C3 R2 c

/ d  a  I+ u2 p! a- @6 W* d另外, 如果我使用ic 5.0.33! c5 Z* r' ^) ]1 ?, `' f3 [
我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)       
- H1 A# m" U0 ?' p跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
: l4 B0 H+ J8 vnoise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
8 F) C+ {, p8 w* s5 y
. _/ H" R* s) ]) U9 C! A3 y% p" U+ w4 ]; H( \: m( j
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享3 {4 F) g5 u  w) y4 o
感謝~~
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2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
$ G; g4 c9 {% @) H9 w+ q! b當然不同.
) g0 e5 m/ m# A6 p使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
3 D8 X% K  r. b) `     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線2 ?3 ^) `) e8 G. f) ?  s
     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
. z) R5 Y# _8 |; m! p9 @0 j% o3 g' w3 s  H! }
     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣' C' d4 A5 q* o6 T  m
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常. w* K' ?3 h1 v7 U7 e  _3 [
     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處
: A1 |0 n  y9 E, Q: H& h     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??( ]) u! t6 x- W8 k& }, d% q& e
     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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