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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好' y, t9 c- i4 A

! X% Q0 j8 Y3 G1 p8 X在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護0 @7 w: m' S5 k

0 i7 I- l4 T' Z2 y$ K5 k* N但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port7 j/ z6 Z1 T$ g' v) c3 j, z

: r* l/ F0 h& ]1 A" h% T造成LVS驗證顯示短路  \4 O+ ~) u# Y' D, a
  v: F6 C2 Y6 ^) @
因為用的是TSRI給的library% F  _. Q8 z* T; `: M! S: a

3 G+ e7 D6 [! K2 X" @發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的& i6 d/ {8 p7 A+ B, G4 S
1 U' R# Y1 y: \& f8 M2 b
而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ& J; h; c5 y( X' F6 q

$ _( ?+ T  p) [' [9 l  d: w是stream in 的時候就有問題了嗎?
, }: \4 T; x/ _, t& d/ [  W9 N$ I5 G( L4 y" m- V# J+ m/ q
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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