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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好
- f' C2 a7 B$ O4 K& ~) Y  n' Y; |# W1 C* S- J* D" O
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護
" G. }- U; |% l8 H) I
+ {- o6 T; Z, |- _7 A, I但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port  a+ Y  y' n/ _1 y- D

; }: `% K# f' @" a$ A造成LVS驗證顯示短路( @. c6 D3 V1 ?2 n0 }, g" Y1 @+ ]
8 {% j1 x1 x' S* k
因為用的是TSRI給的library
: O) ~. w& P4 C9 Y; v
* C6 b0 Z& i% b# n  o發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的- E3 s) ]3 V( O3 P$ `# c, F
  Z/ Q- k$ z2 l
而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ
- o" t; L3 ]: \' `1 i, C9 e
3 k  I0 q8 j0 F% @8 |7 ]: _是stream in 的時候就有問題了嗎?$ R$ O. R8 c3 N
) ^/ L- o( U" x% A
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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