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[問題求助] 请教几道analog面试题

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1#
發表於 2009-9-23 10:00:25 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
都是些纯技术的问题,关于op-amp的。" k; T( u# K$ x: \% W

& t. v5 \. u' V( f" d1. 比较三种结构:a. 2-stage op-amp (active load, class-A output stage); b. ) I# L5 {4 O! }4 ~3 a
telescopic op-amp; 3. folded-cascode op-amp。3者各有什么优缺点。
. _6 f1 ?; s3 N5 O4 I; J9 @- p8 m  R' A5 l" K8 {2 m$ G+ u  z
2. 设计普通的2-stage op-amp,是第一级还是第二级的gain比较的大?为什么?
) ]5 z7 c4 h! S( }3 @6 L* O/ G' O/ q' n. Y7 ~7 c
3. 普通的2-stage op-amp,如果没有任何freq compensation,那么那个是dominant " Q2 m& r* Q( v/ c. J5 v
pole?哪个是secondary pole。请解释为什么会是这样(就是说,你要是说第一级输出
0 g+ _( ]) R! ~) n; q是dominant,那么好,解释一下为什么它是dominant;反之亦然。)! a4 k. b  _, _2 H2 y
# M& }/ Z2 U2 V' w* Q4 ]
4. Miller compensation一般是怎么work的?通过Miller compensation,原先的
8 L# h3 a, c& Y% V! p7 U( Ddominant pole现在怎么样?secondary pole现在怎么样?为什么会出现这样的情况(( y1 H6 b- O% U/ X6 |; r
我们都知道Miller是pole splitting,让低频的pole更低,让高频率的更高。你要回答6 }& E; i2 v0 o# [) u
的是为什么会这样?不是单单从公式的角度)?
: s8 n* U9 \/ J6 s
. u1 D  l2 s9 C4 D) N5. Noise,对于一个input pair来说,是PMOS or NMOS 的noise更好,请解释主要是什
) b! k: q" U5 [$ h1 g+ k: u% m么东西引起的。如果降低noise,gm需要减少还是增加?
% ^5 r/ K1 a, @# a. y" K& i+ U9 w* _6 ?3 D5 N5 g1 v6 u! N
6. offset,对于一个普通的2-stage op-amp,有哪些offset (input diff pair,) i; t# q# F# P! m
output of the 1st stage, etc),在这些offset中,哪些是有major影响的,它们各自  n  E& Q/ r/ }$ f: k6 e
的影响分别是什么?2 i9 V% [9 c; M/ f+ s( H3 C

- u2 y1 z2 u! q9 c+ Y2 t期待牛人的详细解答。。。
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2#
發表於 2009-9-23 13:06:04 | 只看該作者
1.請看Razavi的書 P.314
, T& c1 s" R' M) W1 J2 M/ y: i& n
$ a. c" Q+ d" s) S* h# X2.通常是第一級,這樣input-referred noise 較低。* K2 }  s! i: ^8 ?2 z( |

( X0 r5 D0 E' K0 [: J& t) y5.PMOS可壓低 flicker noise,但是60nm以下差別越來越小。gm當然是大好,理由同2。
$ {$ r% P6 g* d6 T
" B: U' G' k: J$ E, a' {其他忘了,請各位高手解答!
3#
發表於 2009-9-23 13:31:01 | 只看該作者
offset主要區分成二種
3 p9 z; u5 x5 ^. }一種是Vt的offset,另外一種則是current mirror or current source offset" y: f2 B4 K- m
Vt的offset主要的影響來源來自第一級的differential input stage,這個offset主要來自製程廠的因素所造成,這個offset絕大部份的評估是以製程廠所提供的技術來決定這個Vt的offset值為多大,一般而言,面積愈大,Vt的offset會愈小,PMOS的Vt offset比NMOS的Vt offset要來的大,若要消除這個offset,可以從input stage size著手改善,或者可以從layout手法與對稱的方式來改善/ q7 {' T; O5 o; r
第二種current mirror or current source offset大都是講第二級的部份,形成的原因乃是因為current mirror並非理想而造成的offset
3 \6 L: G3 h& e( \6 g這兩種offset以Vt的offset影響較嚴重,也較難解,因為area會直接決定Vt offset,而current mirror or current source offset的等級跟Vt offset比較起來小很多,一般來說都是先考慮Vt的offset,若有其他餘力或者area,再來解current mirror or current source offset
4#
發表於 2009-9-23 18:31:18 | 只看該作者
小弟也來提供點淺見:
2 p1 ?5 L4 Q9 A1 U8 x1 u! J7 {% o) q/ ?& i$ H8 q
第三個問題 :- [. S4 \. o7 D- ^
      two stage OP在沒頻率補償的情況下,dominant pole應該是落在
9 L/ }" t* I# v' C  t; W- r       輸出端,而secondary pole是落在第一及輸出端,因第一級的OP較大
& H: e- m2 s2 n# d) u       C應該是current mirror 的active load裡的mirror pole,但此) B9 q7 z! w1 T5 Y6 Y' p
       點看到的R卻比較小,約為1/gm, 而第一級輸出阻抗可以提供大的R但卻
; R+ L8 _1 K! L) D& V       僅MOS的寄生電容來提供極點的C,所以第一級都是大R配小C,或小R配大C4 n' ?3 p' j* l  z
      而輸出點通常看到的loading C會比較大,且第二級也可提供夠大的輸出
/ l8 `; p7 d* `: Y5 k* F4 G% v4 e       阻抗,所以在沒頻率補償的情況下,主極點會落在輸出點,次級點,落在第一3 A- n% J! S- |" F0 k" U5 }
       的輸出點
5#
發表於 2009-9-23 19:28:15 | 只看該作者
請問樓上的前輩 0 D3 m  ^3 ?4 O+ l/ C% J
何謂mirror pole呀?!  是current mirror造成的是吧!?% {; C: r  M, k; Z
而這裡我記得會有所謂frequency doublet現象是吧?!     $ K  U; A) P0 ^* Q' S% d" F0 P9 {! t
第一級是大R(應該是指Rds並聯吧?!)配小C ,
6 q. d6 w1 F/ O: P; t6 p; H小R配大C 是怎麼來的呀?!   T6 a5 C0 i3 H+ h( L) Q: Y) K
謝謝大家的回答^^
6#
發表於 2009-9-24 18:40:32 | 只看該作者
第一級diode connection 那顆MOS上的寄生C較大2 u" l" D9 q7 g9 f( c
但此極點看到的R為diode connnection的MOS所貢獻
2 n& i/ ~1 B5 f2 T' x5 w8 V約為1/gm比第一級輸出阻抗小,所以第一級中的pole在
3 H+ l7 a6 a8 u無頻率補償的條件下,極點落在較高頻率形成非主極點
7#
發表於 2009-9-30 13:13:39 | 只看該作者

第三题的一些看法!

两级运放的主极点应该在第一级的输出端,次极点应该在输出端!
+ A' I* t% p/ L) B   一般的两级运放的第一级主要实现增益放大,第二级主要实现输出较大的幅度和一定的增益,对于具有较高的增益的第一级来说,输出的阻抗是十分的大的,并且输出点的电容就是第一级的输入电容以及本级的电容的加和,该电容也是十分的大的,由此导致该输出级的极点时十分的小;对于第二级的输出电阻,由于该级的重要的目标是在一定的增益的基础上,获得极大的输出摆幅,因此输出电阻相对来说较第一级较小,第二级的负载电容也是较大的,由此导致输出的极点也是十分的小的。
, Q9 j& n1 |6 U5 x* m   一般来说第一级的极点相对来说要比第二级的极点较小!8 P$ c& q2 X* z$ B3 z5 c

- x" }/ e) V8 u( e8 u9 }   请多多指教!
8#
發表於 2009-9-30 13:29:32 | 只看該作者
第三题解释清楚R,C的相对大小即可,就能看出你对电路的理解程度了!
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