用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
0 c: @! k0 D( A( m9 e: `1 t因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..
& {* r1 K" N* D
感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
oxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
( O* s9 f3 q* Z2 R但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
7 D9 P4 F' E$ m' e; k' L; p0 D1 ^Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
5 U7 n4 C7 O9 ]% N也就是長在NWELL裡的NMOS,
+ n% h% M6 |. V4 q& }spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
0 P( m# o% \$ v* e/ Z, O, C使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???
* j$ O9 ^5 j: Q8 D: F- R
哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
, h( d# T: M0 I% b.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
....
: r7 A  j5 H- b- O.....
.......
.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
, S5 o, S, @9 ?1 t
對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容

比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值