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富士通推出全新256Mbit Mobile FCRAM產品 完全符合COSMORAM Rev.4規格7 s$ A2 {5 A5 F: u, n: y4 k
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富士通專有技術具備高速、低功耗 為手機提供最佳效能
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香港商富士通微電子有限公司台灣分公司今日宣佈推出全新Mobile 256Mbit FCRAMTM(快速循環隨機存取記憶體)。此款Mobile FCRAM採用富士通獨有的FCRAM核心技術,是一個擁有SRAM介面的虛擬靜態隨機記憶體(PSRAM),具有高速運算及低功耗等優勢,適用於手機等各種手持式裝置之應用。' X. |4 L! |6 O0 P
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此款型號為MB82DDS08314A的Mobile FCRAM採用DDR突發模式,完全符合Mobile RAM(COSMORAM) Revision 4*通用規格之要求,並具備以下特點:. F' ~- l; T+ D0 p
" a$ f8 c6 S/ S7 E" j" S8 M, l" [2 e ◆ DDR同步突發模式
2 G) M5 D. Z8 E ◆ 多重位址/資料介面8 D: _5 _) n2 Y5 k5 h$ ^
◆ 每秒最高可達1GByte的高速資料傳輸速度6 M0 v u! H% y5 l) C* J8 E. \
◆ 短暫延遲模式能縮短最初存取時間3 P7 {9 l: n" ~4 m; ]( m
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富士通微電子市場總監莊健偉先生表示:「目前高階手機均需要具備如數位相機、數位攝影機和數位地面廣播串流等各種功能。因此,可以預見的是像Mobile FCRAM這種高密度、高運算速度及低功耗的記憶體產品,將成為未來手機市場中不可或缺的元件。富士通的FCRAM系列產品所提供的高速資料傳輸速率,可在目前既有的PSRAM平台上,提升手機中的各種功能。此外,此款全新MB82DDS08314A元件可藉由多重位址與資料匯流排,將元件針腳數降到最低,協助客戶省去複雜的機板設計。」
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富士通是業界第一家針對手機市場推出pseudo SRAM的廠商,長期以來在建立或擴展市場規模方面貢獻卓越。為了滿足市場對高速記憶體的需求,富士通分別在2003年5月及8月陸續推出32Mbit/64Mbit與128Mbit的突發模式Mobile FCRAM系列產品。/ A" w. t( Z5 B1 l
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除了新款DDR突發模式的Mobile FCRAM,富士通也提供符合傳統COSMORAM Rev.3規格的256Mbit SDR Mobile FCRAM(型號為MB82DDS08314A),為需要內建SDR PSRAM介面的高密度RAM的客戶,提供另一種解決方案。& P+ \. {" V+ q. b6 V2 e3 K
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富士通將於2007年1月推出工程樣品,並於2007年4月起開始量產。兩種元件皆提供封裝產品,並具備晶片和晶圓兩種型態,以因應客戶需求。富士通微電子將會持續為各種客戶的獨特應用,提供最佳的記憶體解決方案。 |
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