請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
+ v# N3 s! s6 p2 L4 i# h, r可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
: F$ `" B2 i: f0 s如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
! k! u% e4 B! H% q/ B所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
# l& _% W# n6 O, a$ y5 pPGR就是metel+cont+diff+pp，
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
4 s: ?9 N3 c4 e; V9 FGR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
9 Q6 H9 M0 L* j- K/ v$ g( i再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR

9 W' c6 \6 W: N/ A. J必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
5 s+ D  r/ t% o1 V, y& ^此圈Guardring必須加上NWELL
4 ]8 J$ G5 w7 k' p而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用

9 E5 k9 _; g' R0 \$ S1 `& elxRules(
- m! F& F* _/ ]
; c. A  |- J3 Z. X8 e- flxMPPTemplates(
+ [! v$ U& p: L) m;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
+ }3 o4 m' m/ s; K2 j" h& h;
; masterPath:
7 N2 a8 y; E4 z3 M6 j; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
0 U) Z* P4 S+ B: E( n4 u[offset]
; [connectivity])
: W" F1 A) l, \* ]/ i;
; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
6 Q5 L8 H( D# u[endOffset]
( j. S" _! u1 h: y; [connectivity])
  C( h# P6 n8 Q; v' J( I;
; encSubPaths:
: m( U4 [! U$ F! ^3 H9 B0 n; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
; [connectivity])
;
  G* \8 l: K6 O6 u' q) T/ |, Q$ f; subRects:
0 u4 E; o" |$ p& D; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
1 t& m/ |  A" b( ~8 F3 f[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
) U: ^% \  X  C4 P2 v; [connectivity])
;
; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
;
;( ---------------------------------------------------------------------
, A  _" u  n) P)

: O- q9 M/ y9 ?) g( T+ @% `(PP_RING_ROW_1
' _' E5 D3 D2 z7 G! `! H9 u" O(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
((("DIFF" "drawing") 0.02)
(("METAL1" "drawing") 0.06)
3 U3 U- R2 Z6 a" Q5 n( g2 |)
) K* B( z, w8 Y! g((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
1 ]1 Z) K8 B: F0.28 -0.25 -0.25)
+ s4 `3 p5 k! d1 j8 V% H)
1 z0 B6 t) P% Y  g* w( K)
..... any other MPP define..
..... ....
5 t7 x: y# ^, t- u+ r! Y3 w. e' _' Q..... ...

* B3 y2 H* k0 W) ; end MPP
.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
' B6 I0 T9 ]) c: X) }. C3 ~) b謝謝
4 l6 Z$ W; ?( d( E4 I& `~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
' u0 j* t+ F- i5 YNGR n-diff 就須接最高電位.
4 R$ d: R& m* B5 `$ ~: aPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
: h% D3 u+ z8 h* Y
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

' ~8 e6 \5 H  i$ a# X, k 共勉.

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
) b4 @5 b7 y9 U7 g. O+ fPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
8 W& [3 s0 N# A# B4 l, _
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
0 v/ Z& N, H# j$ k直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
4 X4 R# ?/ R! Q9 Z7 ~" r5 b6 F8 K, UＰＩＭＰ
7 T: @8 o! o4 {$ ~" c4 K$ ~$ zＭＥＴＡＬ１
9 \0 m' J* E; {7 r/ C  jＣＯＮＴ
8 @4 ?" e/ |. P' O( g( ^ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
. ~3 e+ e" }; p4 G) C
- n: f5 |; B# Y. ]* D[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
  A$ e' U) L" X# L5 J. j! `load后如何操作？
# x. [/ i9 L5 B0 S6 D! P& U" c谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。
7 L* z" f( k$ [( E4 N4 T
) o3 y! M$ Z% l0 b4 _2 d6 `想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon
; s$ R8 V! }  q5 M+ ]; l
" F% e/ P$ b" P7 }. ~碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
; S& y+ \) `  t2 n非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
' o  r# s2 Z9 F" n1 M" s& o不能亂接