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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.( P" j  ]6 L5 w5 M7 i7 M7 s
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。8 g: n8 l& q; L5 F) [5 Q" u" Y
; x! H! z  R5 F; B! e
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處* |9 E2 d' b% M- X' |2 i/ v
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量., Q- |3 `, Q* l/ c( p7 k- ]
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題
# ~" Y: G( w7 ~2 d1 t- J( h$ l, K" T# f8 d3 k- p
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
2 M$ U+ s2 V" J3 u' P但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
% t0 t) Q. ^4 o" |) e4 x1.DRC 檢查軟體運算時間++% L, {5 z7 _" }& d* n3 q
2.RC Extraction 不準 運算時間+++/ R) z* x5 n& ]# O' v
3.P&R 時間 +++8 l' x& ^6 F, K* V- C! z8 t
4.最重要的原因 製程良率 ----1 f9 h% o, W- Q; t$ S0 s1 A% |
) h4 a9 Y8 i# m9 M$ P
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0% ?" A( I( l# A
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多! a8 _0 K' y3 E9 G# R) _7 e
所以 90度角 還是證明他的價值存在$ y; C/ s$ f# Q2 v6 w. j

9 z! G2 w+ p* Z! l6 @) ~至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況$ \0 f: x/ W+ `  @. }; I
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下( p/ G" X/ D* g1 g( q: ^

" o+ E/ J5 y. e% D' b( e; @& n# K得到以下結論# W2 R7 t0 |# X! h( S* A

. |5 r# T6 k! ?( C$ v* e目前的製程技術已經到哪邊了???
$ c+ T- Y. k/ \你所需要的製程技術是否需要???- O9 O  E% o, V" e
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用$ a$ n( @; J, @! g
. f) i4 e4 R& `
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
6 X7 o4 A! D8 |8 P1 w( G
/ D9 {) n. o; s6 V& Q我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強; @* R; ]0 t  ?3 G, I
4 s2 }$ A7 k" t6 w8 Z* b
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
) D% Q6 Z( S  B0 o2 u; T8 Y. V" X; D% i4 _9 v( U" ]1 U" K
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的9 G0 l, f$ b2 p* d
5 i6 o, ?2 k: O- {4 S" M
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
  I3 t- `! s  z; w3 f0 ]! k2 U又學到好多事物0 f, l, k" v$ o2 V+ K9 r" x. \1 v% n6 \
第一次知道layout可以90度以外+ D. M) n/ |6 _* B
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦. @5 f! }& g- b; L8 k9 L3 a
我同學做SAR ADC因為速度慢
( C: Z, W$ G# b0 Z. U$ J繞線其實有接到就好了
9 N5 @0 g) Q: t直角繞線或是metal太細幾乎影響不大8 Q+ ~  T( {& Z" ~
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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