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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
, d9 ]/ t. D& Z4 M7 E2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
  s; ]5 v+ N8 Y0 u3 U! W" g
) b1 s) ^8 Y/ M; y7 xVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處/ E' p, r6 `$ p& E3 n
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.
5 d) }0 h# ?2 G( X& ]$ ?使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題/ f+ _( X. |$ U" f: Y+ l4 ?

( N' E: ^' ~& {2 a2 FOPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
1 k: U0 M! j/ U/ K, ~3 j但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
8 E5 _0 u9 u5 W2 u# S. V" x1.DRC 檢查軟體運算時間++  s. b% [' @4 m* n) e8 d
2.RC Extraction 不準 運算時間+++
+ M' I  M; s: \" w. y" |: @3 }3.P&R 時間 +++0 R0 {7 Y2 M' m! |
4.最重要的原因 製程良率 ----: j1 w: n. ^3 C4 ?
& B3 @6 r9 r+ H! A. Y9 A8 M% T
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0; L7 i$ C8 f: `9 j
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多1 b  s7 |" R' t. u7 @- I- j
所以 90度角 還是證明他的價值存在
# O( X( Z# |. D  y3 p, L2 c) {! Y" ?/ ~4 K9 |  F2 Y
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況
& U. z1 g4 c0 y% M$ j, d而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
2 K' O( w0 g1 p& O
( x$ v$ ^7 ?/ Q5 c$ J得到以下結論' V2 |, L) q8 \( [% H0 p& c: I  G- ^

% y* s- R! `. @3 k. D7 R, M目前的製程技術已經到哪邊了???  T7 e+ w" u) @$ d, I$ v
你所需要的製程技術是否需要???' N+ T* x2 p! V4 F
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用7 V0 v- D9 d4 _4 F0 p" A* d
# Q/ Q0 U- r/ J/ r
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  1 b9 x0 \9 \! E9 }  ?6 F; g# V

2 R) ]/ `+ F( H! R& A8 _我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
, {  Q5 f4 E3 ?4 I" `( n" A+ Y
3 ], O. ]. ^0 Y# h所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
1 ^9 T1 U5 ~" ~- `% n9 C) r* ]; B/ ?" E" a" w
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的
( m; }2 R; U) S4 p. P9 n0 r
+ g4 n. L8 r, W! I如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
  [6 D- K$ o! I5 `1 K又學到好多事物0 D2 }9 D3 a! T2 P$ N/ F3 V7 R* U0 D
第一次知道layout可以90度以外+ X4 z1 N5 D4 U2 A1 J! N1 f  j
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
) z0 s) J! l  i/ q2 o5 e) G$ Z我同學做SAR ADC因為速度慢
; \: `1 X4 S# K  |) d繞線其實有接到就好了
* ?: M$ _! w7 |. o+ g直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
1 p' J3 e- @1 \$ ?' k做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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