Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 15433|回復: 11
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 高壓製程

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2011-6-10 18:20:10 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout- n) p# F4 B! T* M/ r5 m% ^. v
那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂2 踩 分享分享
2#
發表於 2011-8-10 21:37:19 | 只看該作者
感謝大大無私的分享啊/ J. T$ p: ]) w4 `

+ ?' [4 a& e  x  i/ ~: u# `感謝感謝~~~~~~~
3#
發表於 2011-9-1 10:46:44 | 只看該作者
咦!!~~~我只有看到問題, L( A( m  L; q! \: f. }
有分享任何資訊嗎?!. o: Y! q3 O6 R8 f: s  \' n" u
小女無材$ ]( D4 o6 u+ O( s
看不懂勒
4#
發表於 2011-12-7 17:10:01 | 只看該作者
我勒个去,同没看到材料,为毛会有人感谢大大。
5#
發表於 2011-12-21 15:03:52 | 只看該作者
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
6#
發表於 2011-12-26 18:32:29 | 只看該作者
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧
% N4 P; W7 s! B2 s- t( L1 h) e5 m1 E' E6 s* Y, `7 l% w
這就是所謂的國王的答案嗎??XD
7#
發表於 2011-12-28 11:35:52 | 只看該作者
請問大大,我現在想學關於高壓製程Layout
' n- O2 K& F/ }  o& I那我對高壓製程的構造不是很了解,可以介紹網站或資料給我做參考 ...
; B  ]0 a( ^  w0 _0 \b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

+ y6 L! y, g4 b# p, R. j: c6 l" \: A5 \
個人淺見,分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗" s1 c3 i' q6 Y; K& \- o
1:首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
6 T" t- _% e6 B$ `* O' }4 s   不同的廠家,會有不同的定義,在深亞微米中,可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。6 A7 `/ T) O( |. n6 o
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
$ A2 D1 Y) T2 `  m0 Z    LV
' n% @# R9 G: K" r    VbrDS<5V
. R) X4 r+ m+ ~( v0 ]# k      MV 7 p# x' M( }* q8 N7 Q7 f
     15V<VbrDS<25V
7 n. N1 l( z$ y7 ~. M& I9 X- G5 O      HV% [5 N$ Z- N+ _0 ^( O. P+ }3 {
     30 <VbrDS<45V
' v' j1 J6 @4 F, f$ ~1 m     45<VbrDS<80V
4 m  X& H9 `$ G' r     UHV$ y- J8 e8 A" X3 x' e
     80<VbrDS<120V
: J0 \# i# f& L     500V<VbrDS- v7 e3 @: E# `' W
     800V<VbrDS- d1 M7 ^5 f. @' l: `, {6 ~
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分,這種狀況與製成本身的發展,產品系列兼容,甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力,電機產品有一定關係。
; }0 S; _+ x4 `  ~% V4 Y9 O5 ?& U. O/ _/ [3 U
2:此後,可以按照自己學習興趣與工作需求,選取制定學習計劃" M9 s% D2 B, m5 @
   並理解器件的物理和電學特性
: V6 C: s' n# i5 f   這樣做是必須的,好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤,才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。& b$ p& o; h8 m( O3 q3 N1 u' s
   一些圖書是必須的,製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少,特別強調下,在30V以上時,最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
9 {+ Z* S: `  S( Y3 }2 d  z& m; R9 O   如果涉及到80V左右的應用,尤其需要謹慎,因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的,HVI可能會帶來leakage current的問題,一定要與廠家做好細緻溝通,並在Pre-tapout前作好Review。
+ V6 l( z2 b( @" T6 s- u! Y; K9 z   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用,這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異,HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案,# c$ S' j. p% v- i' R4 t+ E# [; D
   IR,摩托等等公司也產生了很多專利 ,讓人感嘆設計師的創造力之強 。
! d! |# ?# A, e$ d* Z3 J7 G   理論的學習,* j& N" D9 K6 h$ h$ A5 f
   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》,這是一部相當老的圖書,出版于幾十年前,但是對基本結構,如場板,終端結構等等的介紹很清晰明瞭。
9 v, e1 h% m# E) }! ?2 L   原書已經絕版,好在資料可以到網路上搜索到。0 d5 Q1 A7 w- b
2 y! O7 s2 n7 d' H
3:實踐
% I" |( p% m' b5 C   檢索了目前大多數的論文與報告,並不令人滿意。在這個工程領域,主要的技術應當是各個廠家。
' Y: L) T8 ~0 Y/ P( _+ i& ?   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發,可能主要的目標是指向對新能源產品的支持,可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line,這些規則大部分對其他產品設計依然有
" q1 ]' C8 Q7 t3 k' z: b- Z   參考的作用。此外 X-FAB,AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位,結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購,可能會在合作中產生一定障礙。
; M! ?% b0 f  ?' P3 g0 \/ y- U- q   特別提一下新竹的EPISL,應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一,EPI是HVDevice的關鍵之一,或許是EPISL的最大優勢。當然,還有極低的價格。: d2 P8 M4 b. T' z8 B
$ F2 z) D  h+ B  A
4:Reverse engineering
' I7 L& I' b0 v3 n+ @+ ?    對於新的公司新的設計,是個可選,當然僅限與佈圖參考,如果完全依賴,那就驚險了。6 ^$ L9 ]8 C$ \4 M, S" h9 ]7 j
1 `* q! I3 q9 D0 d/ Y
淺見,歡迎拍塼!
8#
發表於 2012-2-28 15:27:12 | 只看該作者
楼上有爱,又学到东西啦!
9#
發表於 2012-3-1 19:50:34 | 只看該作者
感謝大大這樣熱情分享資訊,
10#
發表於 2012-4-13 12:25:16 | 只看該作者
大家都是不明真相的围观群众啊
11#
發表於 2012-4-13 14:41:19 | 只看該作者
回復 7# CHIP321
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-11-16 06:45 PM , Processed in 0.168010 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表