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[問題求助] Statistical和Mismatch model

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1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?! G; c! Y+ u( k. B  [! j
# j: s* E1 l7 R+ p, n5 F1 E8 U
感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo$ Z, n; {2 z2 ~% V5 D! m# h, F

0 n8 ?* w& d4 `; Q" Q( C7 L6 C: k如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?; u6 d  |( Q& n+ o8 s

0 l# ]4 I2 k; u# F( F' N6 C1 R謝謝
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2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model
- ?+ C7 N4 Z# @3 H% T另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題% B. Q2 ~# L5 q( I9 u' g4 _5 y
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答! N* P6 t7 B1 K. z- ?

  b4 t1 I$ s- `$ e目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
) X7 v. K4 C' r* Z提供您更新的資訊~~
$ v, n+ v5 t) @1 X# E! T2 M9 f- }+ g4 A
不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
# O! V" ~/ _/ d# ~& H- J若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
) F, n' E1 a/ a: K9 h6 doffset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?: ^0 y- t, _5 z- @1 c, M6 @& I* g) ]' E
謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述9 S' Z8 [' e4 }* x1 j3 k) L
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
" f- Q% h# o& M% f因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看
8 b2 ]' b. V' C% Q
: ]6 }0 `3 F5 J" b  R5 T3 U8 K至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
4 n: _# Q+ Q# f4 F1 q# R7 M, T1 Q  q9 Y- P) f' c
另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
1 {4 r) G. {7 j- N3 ?- d0 n' J3 L( [; X5 p+ v; N& x
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念
3 p- g3 H6 d. `$ x% b1 Dmismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model/ a. P" G9 h9 L# G' A4 W

) j( \) M% Y9 g1 }; n- J* T+ a請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
' E5 u- Y% v1 {" H8 p9 J6 y就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數# V) q- _8 s, S  s: u1 d* G2 Q
) Z  C+ ~5 g. J  T' f
而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model
* _; G$ Z) k& V, J而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣: w7 g# G" c# E5 q, [& G
一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

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blueskyinair + 1 謝謝

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7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

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blueskyinair + 3 THX!

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8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑
  x: t) P. g, |9 S1 J7 m我太偷懶了
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