bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
  K" z. ^5 I' o: H4 X6 |7 O可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
6 B! ]% V2 O/ n. [% o5 Qop db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
不知是OP還是帶差出了問題??
5 W$ {3 S& s( f' W( B: W+ k請各位大大幫忙
, @* k: S$ ?# h  P0 A
8 H: T( p0 Q4 W/ f8 p
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
2 w5 e! w" }7 [: D1 Cbandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
4 v( T% I# S; b. U請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
; K- l2 t, Z6 S) p4 K! E) I/ Gbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
9 s4 N; g! o: ^1 n  R% w  N


( U( {0 W3 ^9 k# p- V[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
: d$ h/ _: Q* r; o) G似乎提共正溫度參數電阻不夠
至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的

如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
, f) Q. c$ C% N: z; L7 ~" ]! g這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
- E& @0 I# u  h/ d% A: e6 o+ B我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25
% }2 @  I# j2 ]7 L2 y
你還是秀圖吧~~
) ~3 T( q8 D, _8 e! L: r- y
) B) _  b6 ^+ R' G. O/ w, ]mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:

帶差:
4 w! k0 L7 W( p
& n9 W0 o' Q/ O# o/ X2 q: j大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
0 Q0 e2 R/ P; n5 S6 x" |" G確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)

但是我的OP增益卻下降到很低
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
請問大大:
- ?" ~4 n4 K3 \1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
/ {5 t+ @$ O" r8 ]0 r5 C$ U
. Y, a) l2 M( Z$ w[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?
: q; E. m2 V* d* M6 Q! v4 V
7 K0 }& b6 x# A下圖左半部是幹啥用的? start-up?

如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
1 T+ k" w; \" p$ R$ `. l3 O
如果不是...還請指教是幹啥的...

% t% u+ B1 y( X; F2 h你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
0 m0 _8 }& R( S( D2 b2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
; ~: \( q+ D) L6 ], q5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
下圖左半部是 start-up
' B/ d. i. ?& s' z8 {% E% o正常工作時可以使我的MS3在截止
) B% b$ s/ R# k1 ]; E/ {) ^請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
/ V1 ?3 g5 S# A$ D7 Q(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
( k5 [2 |  _+ T因為不少人也是用這種電路當bias的

回finster大大
; @  A& v8 N6 `$ w: b7 S% f我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)

( F1 `0 @0 a( t: S0 A6 ]% \我的bjt顆數比為8:1
4 F  M# ?: t1 p. O" n5 B我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

' d* y1 R5 L: v[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
* A% {4 R4 O5 t, c
根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
. l3 m) R1 _2 z8 z
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定

$ C: Q4 L# n7 g# _( V' R( E9 E所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

9 U$ L9 e2 O8 a3 ~: ]因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差

加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG

也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端
; V, c+ c4 a3 S. b" s( A
/ l- v2 Y7 m0 }! ]9 XBIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫

建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     
) j9 ~+ `0 ~+ U  I2 m+ }
3 E* R5 O, `6 v1 Y0 ?( X! E6 B+ k* M.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
9 ]( {7 @, ?, ^# ]% C最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩