Transient 與 DC 模擬結果不一致，是哪邊出問題？

shaq

我在設計一個 Bias circuit, 電路示意如圖所示。

3 U5 @5 [. R& n
1 I1 @$ K7 p8 G& s& F* I, qIref 為 bandgap reference 產生，我希望 Vo 的電壓為1.35v左右。

/ q/ W4 w0 ?" \7 B0 Z; w! p  l& A/ ?我在 DC 模擬時，Vo 可得到正確的電壓。 但在跑 Transient 時，Vo 大約為 0.75v 而已

Bandgap reference 已加 Start-up, 由模擬時可看到 Vref 已被拉起到 1.0v，
0 D5 k/ C8 M" h1 i& ]6 H4 u$ m' M此時，電流也產生出來了。

. L0 v# q' n" W4 a; P但 Vo 的電壓就是與 DC 模擬時不一致，不知道是哪邊出問題 ...  百思不得其解啊∼

finster

你在跑Transient時,Iref的電流是否正常,因為有出來並不一定等於電流等於你在跑DC時所設的電流值
7 Y8 `5 T' d# ^, ^/ M/ Z2 ^另外,你 Transient的時間設多少,會否電路還沒有穩定,把 Transient 時間拉長再看看

li202

這樣的設計不好
5 v2 e& d+ @5 f; [" }3 n利用兩顆MOS的Vds來做偏壓是很容易因製程關係而跑掉的~~~

6 K: v3 Y1 V8 I! G* O# H/ Y1 L) wtran與DC的收斂會不同，導致Vo的差異會很大
' K: O+ D$ V; K6 I# P
[ 本帖最後由 li202 於 2008-9-8 11:56 AM 編輯 ]

sensing

這樣的設計VO容易隨製程變化而飄動, 因為M4 與M7上的電流決定了VO值,
但是此電流在這樣設計下卻是不容易穩定, tran. 模擬通常應該比較接近實際情形
(如果條件設的好的話)

yoyo0204

Bias circuit要輸出1.35V,可以加大m3 的length,讓m3的Vgs變大到1.35V,
在接出去