關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

所以想請問一下大大~  
5 C0 M+ Z. z" F2 O2 a9 pN型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
  U$ X. B8 i/ h4 u5 \  v& qbandgap voltage reference?
) ?) l# m$ y1 t+ g8 P* O: Sbandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
( v9 X4 v  \4 vBandgap 如何做到好的line regulation?
3 p: \7 o: ^5 U% A請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
, _; ^( }+ D6 `; v; Q( Ybandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作


% _% c6 }0 T3 O3 @
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
& s7 y, E; n5 ?2 O0 K' }假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
, ?( u9 I5 d" d, k2 ?但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態
+ S# N5 k# R- f# R* l1 H% I9 n% a
5 r  p$ A: ~' Ore:relax918
9 k: o. A( S" D5 J- ?  p# a可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
這種架構就類似於Diode-connected Transistor
5 ~3 c7 a6 H' x2 D4 ]; s) x1 n) e二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
. o( c5 u% s- B) n  ?) v0 A但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
# A! c3 w" i3 K" H! h) j' O: F+ S操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
* F% ~# H# F# Q6 g  s+ d4 Y
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
: S# `; a) p! _利用P-N junction的特性而已

/ m: m# A: o# U8 R所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
9 i- s" w' Q7 o3 {應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
& @: B1 C) _" O5 P' j  k$ ]( `) E+ N
但是何者較穩定就不保證了
0 m( J" Z# J2 e$ T+ R/ F; b  N
3 l3 L% T0 [; z- X" W  Q+ w因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
$ p8 X5 Q' j8 z6 Y6 ?; m) M5 {NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
, o& D! h  D/ g! S, |& E應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
9 G4 `: ]$ |+ m$ ~( h9 [; W假如G端也接地的話  ...

感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
# H  j4 j( F4 J6 u( U