少子注入源？

minxia.lee

在看版图书籍关于防止闩锁效应时，出现一个名词--少子注入源，请问各位大大，这个是指哪些，解释得越通俗越好，谢谢！

jauylmz

如果可以麻煩請您附上原文(英文)的說明，因為兩岸的用詞習慣有所不同，

, y* t0 L$ s* n, s  f) _所以 "名词--少子注入源" 不同於台灣的用法，多數人不易理解。
/ d) |+ c: t4 ^9 ]% Y4 A
2 o: {3 w4 J! H- ?, j用英文會比較好溝通。

toe

我猜是lightly doped drain LDD
+ v8 X7 Q! P; s' a, F
7 e8 ^1 n* g# S0 R: w十五字十五字

semico_ljj

应该是LDD！见The Art of analog Layout！

lnxmj

我的看法少子是与当前sub相反的注入，如在psub上时,p+注入是多子，n+注入是少子

jian1712

少子注入，在较大尺寸的开关管工作时有可能发生，它主要源于PN结的正向导通，因为瞬间的大电流致使MOS的source和bulk之间的pn结正向开启，向sub注入少子，这种少子注入容易引起latch-up,可以通过加guardring进行收集，如nmos可以在pring外面加一圈连接至vdd的nring进行收集，为了安全考虑，可以在nring外面再加一圈pring