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老實說,6 Q7 O5 D; ^8 }# E' {
你問的問題很廣,, N5 t- B# l D+ D p
會根據不一樣的條件,; Z7 K! |2 } I3 E1 a* v! C
而有不同的答案。
. y( r6 A; \% r, W! q9 ]9 T2 p9 g K3 Q, t
以nmos,body=source=ground的例子來說,; n" R8 c& Q! D8 q9 i; v; H
2 o4 m4 C$ Q! h7 R. E. {2 w2 _& _
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,& I+ g4 {2 a3 e% u) V& \
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,1 s9 N6 W1 t9 p! t Y8 G" V: S
一般來說,應該不會,
e7 A, r! A7 R( `) r" I' x0 t& w' d. A因為SiO2的critical electric field滿大的,
! H1 k- [7 `* ]2 u; _9 |3.3V device gate oxide還滿厚的。
+ k0 y- d( F$ l7 Gvds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
9 ^& P$ D7 K/ @6 F5 L: O6 E這個值通常很大,! e/ r5 R/ x0 J9 h
因為body=source=ground。$ l2 X; @3 Q2 ^/ d& M
另外,如果channel length比較短,
# W% h- @3 G: ^9 s1 S這個值 "可能" 會跟channel length有關,& x, ~* D- d4 i
但如果channel length大到某種程度後,+ W$ e& S1 S1 m% Y
應該也沒影響力了。
1 d) R) F6 Z$ P8 `
5 p8 |% [) K9 W; Y: c(2) 如果gate=bias voltage,
9 D# Q1 G/ w! V9 X! d$ h# V這顆nmos可能當current source使用,
0 B9 b; c" G8 L- Y這時候就要考慮其hot-electron的效應,/ b' l% Y" u5 Q
因為單位面積的current可能滿大的,
) ]7 {, y3 T* @! z& J4 k, _7 [4 P而vgd也不小。
1 U( t# u5 `0 c$ D6 N; } ?( W& i8 Y) Z: K* w$ D" p3 \' s
(3) 如果gate=darin=high-voltage, `3 H3 D: W; Q+ [
這樣的單位電流會大到不行吧!
3 G& k0 B! U6 k" mId = kn'W/L * (vgs-vt)2% m! A7 e/ `6 ~% N; N1 s/ R2 v
) Q3 u/ C5 }9 v1 ^% O1 m8 i
所以通常是case2會是要考慮的問題,
( t# a2 n, Y. `9 i不過hot-electron就是可靠度的問題囉。
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