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樓主 |
發表於 2008-7-25 09:24:25
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本人找到的一个方法是在LVSCHK[OPTIONS]这个命令中,在options处填上【X】选项,这个选项可以上比较进入到晶体管级别。个选项解释如下:0 p1 y( A; W; G4 D
A:合并串联电容。例:两个为1c的电容串联合并为0.5c的电容。! G$ G: x# a) A9 `% O( C& d
B:合并组件如MOS, LDD, RES, CAP, DIODE,但不合并并联BJT晶体管。! @% Z8 W3 o( x% A/ g1 d
C:组合晶体管形成一个整体器件,如INV, NOR 等,但不能应用 X 选项。只有被指定为 或N类型的晶体管,才会被识别。
3 p( g( M5 c9 QE:匹配器件如:MOS, BJT, DIODE, RES 的尺寸。
8 V, A* u! C( S! MF:过滤没有用到的MOS器件。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。$ b! ]8 e8 A9 q2 `$ o' I4 p
G:对schematic 和 layout 应用相同的规则过滤。使用FILTER_OPTION是要将此项打开。' [, `' m. I; @/ u' e
K:保存器件并联状态,默认为合并。例并联电阻,并联MOS器件。(注意尺寸的计算。K选项将会让B选项失效)
$ q; H5 u9 v5 E& z3 B: n9 [% v/ cL:与C选项相似,但不组合AOI或OAI器件。(L选项将会让C选项失效)
5 N9 I. s" [) d" Y' G S+ vO:组合并联或串联MOS结构。默认值将不会组合SMID或PMID结构。该选项打开,LVS可以识别BiCMOS结构或门级层次。使用O选项将禁止打开X选项。
9 ^$ y6 h+ k0 T+ hP:识别CAP极性,极性端反接将显示错误。 r" Z$ c' P4 n: n2 ^% T: O1 ~, T" h
R:合并串联电阻。 G4 k! l5 x: ]: f( |, y/ x+ Q
S:合并分列式晶体管结构(假的并联结构)。2 ]+ G+ ~( l: K% q, G( [" K) F+ L6 P
T:在匹配时,将sub 端作为一个通常的连接端来匹配。
: B J3 b/ g8 w' FU:在(.lvs)报告中去除多余信息。* m: U: S' g- e0 C1 e
X:比较将延伸到晶体管级。例:NAND2两端连接会有顺序。4 i2 P- F7 R; Y/ ]# I
Z:过滤没有连接到P/G的器件。 |
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