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[問題求助] 大driver的問題

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1#
發表於 2008-5-1 17:20:01 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一個大driver在poly gate的導線加粗主要功用是什麼呢?
0 F5 F5 Z1 M# W# h# m. K例如0.35um製程的,本來m1都只跑0.85um,那如果加粗到1.5um或是更大的線寬這用意為何呢?
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2#
發表於 2008-5-1 17:31:21 | 只看該作者
M1加粗應該是要加大可流過的電流量
3#
發表於 2008-5-2 03:20:13 | 只看該作者
補充一點3 d+ w4 F# @. _4 y1 N! F
通常在driver拉線上,我們都是建議採用上層metal來作拉線(power跟ground部份),這是因為上層metal的厚度較下層metal(metal 1)來得厚上許多,以同樣宽度的metal來說,因為metal層較厚,所以可以流過較大的電流,而這也是為什麼driver部份大多用上層metal來拉線
4#
發表於 2008-5-2 09:26:24 | 只看該作者
嗯~聽RD主管說這也會讓那條訊號線~
. s. i+ u+ U7 s# v8 |, k2 b- F雜訊降低~...聽RD說的~不知是不是
5#
發表於 2008-5-6 13:00:21 | 只看該作者
M1加粗應該是要加大可流過的電流量
# v, |/ Q) o) K% T( f- J8 J; ?; f-->>基本上在poly gate 端是不會有電流流過7 R6 E: s4 U9 a( {
加粗是為了加快MOS導通的時間
/ `/ w8 O1 l6 [" S9 T+ @& b說起來又是一堆理論......
6#
發表於 2008-5-14 10:22:28 | 只看該作者
metal加粗應該是那條訊號的電流比較大
3 V; P$ _3 i7 g7 l' {* \0.35um製程,metal電流承受 1um寬度約=0.7mA (top metal 1um約=1.5mA)# T, ^+ J/ ]+ D7 G6 y4 ]1 g
一般我的經驗,大device給他最大電流量的2倍metal寬度就可以了。
7 W1 f. q2 o/ m9 r例如:current 20mA 就畫 1層metal60um or 2層metal 30um 以下以此類推。( h" j7 T/ ^  p, p5 N% A' v% X

  t7 F; i- q$ x8 A3 C你BOSS說加大寬度是要降低訊?應該是亂講的吧?
. i2 Z' y6 G7 s$ N( C( a( B* U# Nmetal寬度比較大應該是coupling比較大,訊怎會降低?
  b7 _0 L! w: v0 m) |0 A要降低雜訊應該是要加shielding或是降低跑線長度吧?
7#
發表於 2008-5-15 02:38:14 | 只看該作者
GATE端是沒什電流,GATE端METAL劃很粗,主要是dealy時間不要太久
8#
發表於 2008-5-15 10:07:27 | 只看該作者
降低雜訊那個,應該是說top metal吧!因為它距離bulk
  ~2 h8 A! m6 }/ a0 G比較遠,比較不會受到bulk干擾.
9#
發表於 2008-5-15 10:33:44 | 只看該作者
poly gate的導線加粗主要功用是什麼呢?9 Y- e* [4 }' O" f9 J! r  N" c% n
應該是降低電阻值吧!!
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