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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18
  A/ m1 P  A) h, e
/ T5 V" y( |( f6 F; e---RUN DRC----------5 X& x5 I  f7 R/ Y
出現error3 r6 C. S8 B' _) m* F

9 ]1 v) Z% ?) A4 k& p. ~6 C. A+ H# I1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
; a0 O+ [0 c1 r, ^0 d(OD WITHOUT IMPLANT)
* W3 S: @- h. N& t( n1 S
4 e3 t  @( W8 \3 l2.CHECK M1.E.2- 8 errors
: `3 A0 I/ _7 r' ~5 `M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
& m7 K0 n* |( a3 GC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite4 l, u% s/ c; M# f' n- v# H& o5 R& P
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)
# k. k: `! I# a0 g4 H/ Y# g9 G
, {( }+ o$ ~, r$ H0 b; S* F# ]3.CHECK P0.R.3 -1 errors# \. I- g: i4 A& k4 c
Poly area coverage < 14% (exclude application forindactor)
5 i2 U5 R$ h% o; l, HCHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY9 H% J2 T( [, X8 \2 q% f
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print: b, z* ^4 d1 Z) E) |1 a+ C% ]; e
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
- x; i8 p* l  Z, Z+ B% r5 B.6 h  V9 A$ r+ p- B+ g1 [7 _$ l
.
4 {! R) e6 v9 v: ]( x.
' {/ Z* ]3 g/ y7 i  N" S% r3 X類似錯誤
( g9 O5 u$ @! I) c% Z9 l4 H9 F& E# ~2 J( T. [
+ Y& p" q' {% g8 w5 L$ i

5 `2 P. e  M0 q5 z
0 u& n9 E/ L# B1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,7 C  A( G2 i% |: \: M8 a! t. O
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?4 S3 x7 q3 l- D4 @6 v  h. g: f
ex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
" I2 F7 {1 _. o2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切3 Z# T8 o/ v1 L" i( s
都是憑經驗0 J  C5 O" D) \! i  m

! C* N- u' r# m/ _$ R) b初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant
8 K: X6 a, |2 N' i5 z& j# i1 I0 ?2.是左右MT1 extension co 需0.0um( O+ M+ g# V' ?4 s) T! ]" y; T
3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
6 n$ ^& r4 y1 X0 |我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程" s: x# u# u* d0 d* u! b
; i8 i, j* s4 B" n' A0 ], `  [
這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?$ U" C. k' y; \- @
第三個coverage 可以忽略$ f: P" Y( N3 O' _1 b/ e0 Q5 \$ r, a
要下線時再解決即可
  ~- j( ~& |6 \
7 g8 m; _- {. x( {" H) ?laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...' J1 ^/ a3 C) }9 D6 {
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表
$ Y1 b! L1 Y5 G; ?7 Q7 S9 f; U/ S感覺您mos是自己建的?# e/ L2 X' U# I4 h
第三個coverage 可以忽略; W8 L( [3 h2 E
要下線時再解決即可
7 q6 \# j( F1 J' w( E+ i! v# [4 ]& n
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...  p2 `: i- P, y  i
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

4 c. C( c1 o4 W! N7 Z, E  w* s# D

3 z9 E8 C) s  Z" |7 dmos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣3 j7 f! V6 d- l0 f/ E
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um* U6 G7 M6 s. n9 G7 w- ~& `4 ?
感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um9 ?% ]2 Q4 p# b8 D8 N7 O( w2 g
=============================================8 |. l6 s$ X' z2 Y4 N2 c/ b
今天cic 有開放線上e-learning5 p: K. [) z9 e. q* {; ?
趕快詢問您們lab的管理員' m* v) D  v1 U# [
看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)% B, z% b8 t7 [  X3 O
裡面有教laker、full custom design concept
  h7 b% C" D3 U; V1 D. y1 H亦有hspice,都有一些不錯的技巧
# Q9 q0 A- W$ w& F- Q要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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