mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~

我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?
) w* P6 f3 i; `6 q! Y
我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?

" P0 }2 v* Q* K% o) t因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?

5 i' _4 n) f3 [  ?2 m. Z8 r6 o! _5 Nprint指令是要如何下呢?
3 h9 P5 B* ^( B6 s5 B/ v
麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
* W5 p" g: R! H6 i6 D在Hspice中也可以利用 Expresion来做
* L& J* E, Q, w; t- x我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
假若是用P-type的power mosfet
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
如果這顆PMOS取作MP1
則,要計算它的Ron電阻
9 R; w) t+ b' b* m6 a- O.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
4 z  J# E* L' p2 m7 ~0 ~& w( p這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
. I+ {% {5 w1 q; q+ n# F請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

  c+ G  v/ V( k" \& c; ]

# q# ?3 j0 t/ x8 |- C3 d. ~使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
3 k. b8 S( f# x# G如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
- B# u) D& H' b; L8 S. g理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈