mos的導通電阻要如何求得?

averyer

各位前輩~

5 W5 y7 {! L, C, X- V* ~我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?
8 o; f' f* m; t
我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?
! S, p8 C) q6 \4 p3 H! t
因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
8 F: a9 ~& @7 k6 ~# D$ |3 z0 s; C
print指令是要如何下呢?

麻煩各位前輩幫幫忙?

skiptoo

一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
* j* v/ l  r& ]- ]9 r在Hspice中也可以利用 Expresion来做
8 x. O3 k/ [. M& _& O我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来

finster

舉個例來說吧
% l+ o  z6 c$ }* k. D. ]假若是用P-type的power mosfet
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反
% H) x5 j8 w% q& C2 x如果這顆PMOS取作MP1
則,要計算它的Ron電阻
3 S2 [6 y$ v& a( \.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')
5 J& V, M" A6 V9 D5 ^6 p這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了

averyer

謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~

jerboa123456

請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確

finster

原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
, K7 ~& {$ e+ x& H# u: j6 P3 U請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

% W8 _8 ], }) l8 w7 K* A
" b. \! o& z" H0 {
使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值
如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬
1 I5 n% _5 a5 L( ]& g理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈