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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法,
% k6 P" Q/ P) E- w5 y. u由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), 8 |9 R, o( M% K! M: J' E2 ~( m( L
ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)$ s! g/ ]- M. B% J3 n3 C
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
4 ~5 w' v6 D/ t! p {VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値; a- m) D! E. u/ @8 ?# a/ P
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
( W" M4 q9 }% r在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
9 g% T# S Y1 _: t2 P. n由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)& W! Q2 y }3 ~1 h2 V" g" |
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
+ l1 L! z6 D. O+ s1 i( T將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值8 I: O( q: `. P
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]; P q1 ?0 l9 [, I$ s, @% [
= 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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