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樓主 |
發表於 2008-3-30 16:34:52
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提供一個之前用的方法,8 ]7 N/ [2 r5 ]
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例),
1 u; m! D$ n' K1 x: X _" nID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)5 V' \/ B9 K3 D
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,! B: G& {1 {+ n5 D
VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値
5 h( i& ~, v' [6 g8 k4 L由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)# h3 P7 g# b9 H. f# |# n) F
在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
+ e& s5 s# J7 |8 W由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)% N! a% E+ d0 r5 H- _' S
故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
" f- S2 ~. I( C5 v/ S* F將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值
* n/ G" P6 F" J0 LKP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
2 C) d5 a* A, k( Y+ ` = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)] |
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