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[問題求助] 想請問一下設計mos的wenth跟length

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1#
發表於 2007-9-15 00:17:02 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近一直在模擬paper上的電路,(也清楚了為何電路會這樣接)
* D9 Y' x7 w* J* B* I: M1 U* Q/ U2 e) M好比說VCO,PLL的電路( I! s5 b3 f2 q9 ]( B' G
通常你們在設計nmos或pmos的時候,長寬比都怎麼去設計呢
7 x5 R1 H! t# f- a; [# D如果是以0.18um製成或0.35um的製程來說( x% t* }, l+ ^; _- _
不知道各位專家有沒有什麼建議或指導之類的.....
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發表於 2007-9-19 10:31:31 | 只看該作者
類比的世界  沒有 standard!!8 d$ T) e3 \5 \& W
所有的 width & length 都是依照設計者的需求來設計!!
$ S% p1 }; s& G* S/ E4 a# L所以  應該沒有人可以告訴你標準答案!!
. S4 |' \* X. n; @# q1 m' b或許  有這麼一條 guide line 叫做  儘量不要用到 min. length/width!!
1 p, I  M0 c& s( D5 n: J9 ]這是考慮到製程變異的時候!!  假如不 care 時  也是可以用的啦!!
4 H) m: Y+ t9 ^& ^* d6 f看你自己的需求唷!!

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monkeybad + 5 Good answer!

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2#
發表於 2007-9-16 18:56:58 | 只看該作者
根据工艺确定Length,然后根据MOS的功率和速度确定wenth。
4#
發表於 2007-9-19 17:04:53 | 只看該作者
L與W跟你的操作電流、頻率盛至跟溫度有關) @; E1 J/ n9 L8 b
一般L的不要抓到min值,L大一點可以避掉製程size的變異
0 b' W: C  P" C' N' J4 @適當的W/L比例控制去抓Veff值比較好
5#
發表於 2007-9-20 16:46:12 | 只看該作者
一般在設計NMOS或PMOS,為了讓MOS在飽和區工作,以所需要的電流(Id),再利用MOS飽和區電流公式Id=1/2 u Cox (W/L)(Vgs-Vt)2來估算W/L的比值,
6 A* X: N7 K0 Y  A另外,如果是0.35um的製程,表示L最小可以到0.35um,但建議不要用到最小,因為如果製程不穩,L很可能會跑掉,而造成電路Function功能不正常。
6#
發表於 2007-9-21 19:50:54 | 只看該作者
比如W/L=12/60. 和这个20/30。match怎么看
7#
發表於 2007-10-26 13:49:55 | 只看該作者
Sorry, I would say they are total mismatch!
8#
發表於 2007-12-16 19:42:58 | 只看該作者
一般類比電路的書籍(ex:Alan..)都會提到喔,大部分都是以OP當做例子,利用OP的規格去回推MOS的SIZE喔.
9#
發表於 2007-12-16 23:11:09 | 只看該作者
0.35um製程, 應該 L 都用0.35um , W可用10um或是5um,我在學HSPICE都是這樣設定的# \! g0 \+ S- X$ `  m6 y
但還是要看設計者啦
10#
發表於 2008-1-15 14:31:07 | 只看該作者
看是類比還是數位電路,2 b1 c$ C4 n. d# o3 Z9 G
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L,
' A  n1 C+ N$ n7 r: x/ I& N8 O; w& y數位電路基于經濟的考慮,會選取最小的L, 0.35um. 因為數位的處理電平都是0和1.
11#
發表於 2008-1-15 16:55:07 | 只看該作者
2樓的是REVERSE吧...2 ?+ n9 c* X1 ]

8 L: S# D/ {7 d7 h我想還是要以分析來設計
( f' h* k8 M0 M0 |8 ^# J7 O, |" V; M* g1 B
先明白公式,推小信號MODEL' U. q" O7 y5 @5 Y: x0 W

9 S4 F0 B% y! t7 ^- z應該可更清楚
12#
發表於 2008-1-15 21:09:51 | 只看該作者
類比電路基于match的考慮,一般需要更大的L
; a/ m: k* a* C7 K1 m0 t^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^
# Z! i  k) _* `3 n基於 製程變異 及 短通道效應
5 N3 n; [# Y: y' D8 g
- ^& v, W7 r9 h) r! {7 {" _! R) W  A先明白公式,推小信號MODEL
! d; I, V# I3 N# A0 V. X* C^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^- O9 a1 X: ]6 T0 O1 G
20/2 跟 10/1  在數學上是一樣的(忽略2次效應)
) c/ s! t1 ?* H, u/ p1 X( I$ c但在 hspice 可能是不同的 mos model
13#
發表於 2008-2-12 05:07:41 | 只看該作者
for the 0.35 process L usually is 0.4 in the process datasheet, then you calculate your W according the formula Id=1/2uCox(W/L)Vov*2 usually,But as the other guy said your specification is the first
14#
發表於 2008-3-11 13:36:34 | 只看該作者
Reasonable sizes for lengths of the transistor might be between 1.5 and 2 times the minimum transtor lengh of particular technology.
15#
發表於 2008-4-5 22:02:12 | 只看該作者
一般length都會設計在最小L的2-5倍
2 {* N1 z7 H# L: n2 ~3 A再看電流來設計wenth
16#
發表於 2008-4-11 15:42:44 | 只看該作者
L大小的選擇和mos的使用有關係: ]. j, F. k8 g
有從match的考慮,電壓mos和電流mos$ B5 @* j( p' a6 T# Z
有從1/fnoise的考慮等等# P% ]' v/ P+ v' l% V! z
沒有絕對
; a# ~! V, g' j8 j5 n5 Q1 w+ Q( ]% Yw的選擇主要和vdsat和L大小相關
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